[发明专利]一种检测三聚氰胺的方法无效

专利信息
申请号: 200910085489.6 申请日: 2009-05-22
公开(公告)号: CN101561397A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 张雅;张利胜;方炎 申请(专利权)人: 首都师范大学
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65;G01N1/28
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 徐 宁
地址: 100037北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 检测 三聚 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种检测方法,特别是关于一种检测三聚氰胺的方法。

背景技术

三聚氰胺是一种三嗪类含氮杂环有机化合物,微溶于水,主要作为生产三聚氰胺甲醛树脂的原料。最近,关于宠物食品、动物饲料、小麦麸和其它含蛋白质的日常食物中含有三聚氰胺的消息,引起了人们对三聚氰胺的广泛关注。由于人体摄入三聚氰胺后,容易患上膀胱结石、肾部结石之类的疾病,严重者可能诱发膀胱癌。因此,检验食品中三聚氰胺的含量具有非常重大的意义。现有检测技术仅仅限于中高浓度三聚氰胺的检测,而无法对微量三聚氰胺进行检测。1994年国际化学品安全规划署和欧洲联盟委员会合编的《国际化学品安全手册》第三卷和国际化学品安全卡片说明:长期或反复摄入三聚氰胺可能对肾与膀胱产生影响,容易导致结石。因此即使是微量浓度的三聚氰胺,长期摄入,也会对人体健康造成极大的损害。

发明内容

针对上述情况,本发明的目的是提供一种高灵敏度检测三聚氰胺的方法。

为实现上述目的,本发明采取以下技术方案:一种检测三聚氰胺的方法,它包括以下步骤:1)制备贵金属纳米点阵列;2)将待测样品与银胶混合,得到待测样品/银胶混合液体;将该待测样品溶液/银胶混合液体置于步骤1)制备的贵金属纳米点阵列上;3)利用SERS方法检测步骤2)中贵金属纳米点阵列,如果检测到的SERS图谱中出现了三聚氰胺的特征峰,则待测样品中存在三聚氰胺。

所述贵金属为银。

在所述步骤1)中,贵金属纳米点阵列表面的银纳米点的直径分布范围为60~100nm。

在所述步骤2)中,银胶中银颗粒的粒径为60~90nm。

在所述步骤2)中,SERS方法检测所使用的拉曼光谱议的激光波长为1064nm,激光功率为150mW,分辨率为3cm-1

所述贵金属纳米点阵列是由磁控溅射方法制备的。

本发明由于采取以上技术方案,其具有以下优点:1、本发明方法由于采用了性质稳定、排列有序的贵金属银纳米点阵列作为增强基底,还结合了高灵敏度的SERS(Surface Enhanced Raman Scattering,表面增强拉曼散射)检测方法,可以检测到浓度为1×10-5mol/L和1×10-7mol/L的三聚氰胺,因此本发明方法检测的灵敏度高,准确性高。2、由于本发明方法中利用了磁控溅射方法,在AAO(AnodicAlumina Oxidation,多孔阳极氧化铝)模板孔洞内沉积银纳米粒子得到了银纳米点阵列,因此制备得到的银纳米点阵列结构致密稳定,且具有很好的重复性。3、由于本发明方法制备出的银纳米点阵列性质稳定,可重复利用,因此本发明方法操作简单,耗时少,成本低廉。本发明方法可以广泛应用于其它微量物质的检测中。

附图说明

图1是本发明方法中制备银纳米点阵列的原理图

图2是扫描电子显微镜测得的AAO模板的俯视图

图3是扫描电子显微镜测得的银纳米点阵列的俯视图

图4是表面增强拉曼技术测得的SERS图谱

具体实施方式

下面以贵金属银为例,阐明本发明的技术方案。

本发明方法包括以下步骤:

1)制备银纳米点阵列,其包括以下步骤:

①如图1所示,将AAO模板1依次放入去离子水、酒精、丙酮、酒精、去离子水中,分别浸泡20~50min,除去AAO模板1表面及其孔洞11中的杂物,待其自然干燥后,放到磁控溅射设备中真空室4的加热衬底架41上。将纯度为99.99%的银靶2依次放入去离子水、酒精、丙酮、酒精、去离子水中,分别在超声仪中超声清洗5~20min,去除银靶2表面上的无机物和油脂等,待自然干燥后,放到磁控溅射设备中真空室4的阴极靶位42上。上述磁控溅射仪器中的真空室4为阳极,如图2所示,上述AAO模板1具有两端通透的孔洞11,通过扫描电子显微镜测得孔洞11的直径范围为60~100nm。

②启动加热衬底架41,对AAO模板1进行预热,预热温度为380~500℃,预热时间为90~150min。预热结束后,通过加热衬底架41将AAO模板1的温度降至350~400℃。

③如图1所示,通过以下三步溅射法,将银靶2中的银粒子5沉积到AAO模板1的孔洞11内:

第一步,往真空室4内通入氩气,使真空室4内的气体压强稳定为0.1~0.2Pa,使溅射电压大小为250~320V,电流强度为0.01~0.03A,并使电压和电流强度稳定,持续溅射时间为5~10min。

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