[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括栅电极区域、数据线区域、半导体层区域，源电极区域、漏电极区域、栅线区域及像素电极区域，其特征在于，包括：

步骤1：在透明基板上依次沉积透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜，通过第一构图工艺形成包括掺杂半导体层、源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；

步骤2：沉积半导体薄膜，通过第二构图工艺形成包括TFT沟道和半导体层的图形；

步骤3：沉积绝缘薄膜和栅金属薄膜，通过第三构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形。

2.根据权利要求1的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

提供透明基板；

在所述透明基板上依次沉积透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜；

在掺杂半导体薄膜上涂敷光刻胶；

通过双调掩模板对所述光刻胶进行曝光及显影处理，使得所述数据线区域、源电极区域及漏电极区域的光刻胶具有第一厚度，所述像素电极区域的光刻胶具有第二厚度，所述第一厚度大于第二厚度，其余区域不存在光刻胶；

通过第一刻蚀工艺完全刻蚀掉所述其余区域的掺杂半导体薄膜、源漏金属薄膜和透明导电薄膜；

通过灰化工艺去除第二厚度的光刻胶，暴露出所述像素电极区域的掺杂半导体薄膜；

通过第二刻蚀工艺完全刻蚀掉所述像素电极区域的掺杂半导体薄膜、源漏金属薄膜；

剥离剩余光刻胶。

3.根据权利要求1的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：

沉积半导体薄膜；

在所述半导体薄膜上涂覆光刻胶；

通过掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理，仅在所述半导体层区域保留光刻胶；

通过第三刻蚀工艺刻蚀掉暴露出的半导体薄膜；

剥离剩余光刻胶。

4.根据权利要求1的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：

沉积绝缘薄膜和栅金属薄膜；

在所述栅金属薄膜上涂覆光刻胶；

通过掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理，仅在所述栅电极区域和栅线区域上保留光刻胶；

通过第四刻蚀工艺刻蚀掉暴露出的栅金属薄膜；

剥离剩余光刻胶。

5.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘薄膜为SiNx、SiOx或SiOxNy的单层薄膜，或这些材料多层沉积形成的多层薄膜。

6.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述源漏金属薄膜或栅金属薄膜为钼、铝、铝钕合金、钨、铬、铜形成的单层薄膜，或为以上金属多层沉积形成的多层薄膜。

7.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，通过磷酸和硝酸的混合物制得的刻蚀剂对源漏金属薄膜进行刻蚀；

8.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，通过硫酸或过氧化物对透明导电薄膜进行刻蚀。

9.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述源漏金属薄膜为Mo或Mo/Al/Mo时，对所述掺杂半导体薄膜和所述源漏金属薄膜连续进行两次干法刻蚀。

10.一种通过如权利要求1-9中任一所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法得到的TFT-LCD阵列基板。