[发明专利]对晶片浅沟道隔离槽加工过程进行控制的方法

权利要求书

1.一种对晶片浅沟道隔离槽加工过程进行控制的方法，包括如下步骤：

预先获取浅沟道隔离槽STI深度与主蚀刻时间之间的线性关系；

对通过主蚀刻过程得到的晶片STI深度进行测量，得到实际STI深度与目标STI深度的偏移量，根据所述偏移量以及预先获取的所述线性关系，得到对主蚀刻时间进行主蚀刻时间的调整值，根据所述调整值对主蚀刻时间进行调整。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预先获取浅沟道隔离槽STI深度与主蚀刻时间之间的线性关系包括：

预先通过实验获得浅沟道隔离槽STI深度与用于加工所述浅沟道隔离槽的主蚀刻过程时间的测量值，并对所述测量值进行线性拟合，得到STI深度相对于主蚀刻过程时间的斜率的倒数SI。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对通过主蚀刻过程得到的晶片STI深度进行测量，得到实际STI深度与目标STI深度的偏移量，根据所述偏移量以及预先获取的所述线性关系，得到对主蚀刻时间进行主蚀刻时间的调整值，根据所述调整值对主蚀刻时间进行调整包括：

A、对于第n批次的晶片，按照该批次的主蚀刻时间T_In对晶片进行主蚀刻过程，构造出STI结构；

B、对第n批次得到的晶片STI深度进行测量，得到晶片STI深度的测量值D_En；

C、计算所述STI深度测量值D_En相对于目标STI深度D_E0的偏移量，将所述偏移量乘以预先获得的STI深度相对于主蚀刻过程时间的斜率的倒数SI，得到主蚀刻时间的调整值；

D、根据所述主蚀刻时间的调整值对第n批次的主蚀刻时间T_In进行调整，得到第n+1批次的主蚀刻时间T_In+1，令n＝n+1，并转至步骤A。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤C为：

计算所述STI深度测量值D_En相对于目标STI深度D_E0的偏移量，将所述偏移量乘以预先获得的STI深度相对于主蚀刻过程时间的斜率的倒数SI以及调整因子α得到主蚀刻时间的调整值，所述调整因子α满足0＜α＜1。