[发明专利]可控金属氧化物避雷器晶闸管开关的测量控制装置

权利要求书

1.一种晶闸管开关的测量控制装置，其特征在于，包括击穿二极管 和第一二极管，所述击穿二极管的阴极耦合到所述晶闸管开关中晶闸管 的门极，所述击穿二极管的阳极耦合到所述第一二极管的阴极；所述第 一二极管的阳极耦合到所述晶闸管的阳极，用于限制所述击穿二极管的 反向电压；

还包括金属氧化物电阻片，所述金属氧化物电阻片一端耦合到所述 晶闸管开关中晶闸管的阳极，另一端耦合到所述晶闸管开关中晶闸管的 阴极；

所述击穿二极管满足：在最大环境温度T_A下，所述击穿二极管的 转折电压V_BOD等于或小于晶闸管的额定电压V_DRM；

且：

V_BOD(T₀)＝V_S0×K/N

其中，V_BOD(T₀)表示温度T₀下所述击穿二极管的转折电压，V_S0表示 所述晶闸管开关所在的可控避雷器的动作阈值，K表示可控比，N表示 所述晶闸管开关中串联的晶闸管个数。

2.根据权利要求1所述的晶闸管开关的测量控制装置，其特征在 于，所述金属氧化物电阻片在最大电流下的残压小于所述晶闸管的额定 电压。

3.根据权利要求1所述的晶闸管开关的测量控制装置，其特征在 于，还包括串联在所述第一二极管的阳极和所述晶闸管的阳极之间的第 一电阻，用于限制所述测量控制装置中回路的电流脉冲的幅值。

4.根据权利要求1所述的晶闸管开关的测量控制装置，其特征在 于，还包括低通滤波支路和保护二极管，所述低通滤波支路串联在所述 击穿二极管的阴极和所述晶闸管开关中晶闸管的阴极之间，所述保护二 极管的阳极和阴极分别耦合到所述击穿二极管的阴极和所述晶闸管开关 中晶闸管的门极，所述低通滤波支路和保护二极管用于阻断正向dv/dt 时所述击穿二极管结电容产生的位移电流。

5.根据权利要求4所述的晶闸管开关的测量控制装置，其特征在 于，所述低通滤波支路包括并联的第二电阻和电容，所述第二电阻取值 在100～1000Ω之间，所述电容取值22～47nF之间。

6.根据权利要求1所述的晶闸管开关的测量控制装置，其特征在 于，还包括稳压管，所述稳压管的阴极和阳极分别耦合到所述击穿二极 管的阴极和所述晶闸管开关中晶闸管的门极，用于防止低电压干扰信号 使所述晶闸管误触通。