[发明专利]多层平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪有效
| 申请号： | 200910086487.9 | 申请日： | 2009-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101571508A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 王晓浩;唐飞;李华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N27/62 | 分类号： | G01N27/62;G01N27/66;G01N27/70 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 | 代理人： | 邸更岩 |
| 地址： | 100084北京市100*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 平板 结构 高场非 对称 波形 离子 迁移 | ||
【权利要求书】：
1.一种多层平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪，其特征在于：该高场非对称波形离 子迁移谱仪包括离子源(3)、迁移区(14)、分离电极、上基片(7)、中间基片(17)、下基 片(20)、检测单元(10)和静电计(21)；所述的上基片(7)和中间基片(17)构成第一气 体通道(6)，中间基片(17)和下基片(20)构成第二气体通道(12)；所述的迁移区位于第 二气体通道(12)内，迁移区内设有迁移区上电极(13)和迁移区下电极(11)，检测单元(10) 位于迁移区的后端；所述的离子源(3)位于第一气体通道(6)的入口处；所述分离电极由 上分离电极(4)和下分离电极(15)组成，上分离电极(4)位于上基片(7)上，紧邻离子 源(3)出口；下分离电极(15)位于下基片(20)上；所述的中间基片(17)上设有离子通 道(16)，下分离电极(15)通过离子通道(16)与上分离电极(4)对称布置；所述的静电 计的一端与微处理器(8)连接，另一端与检测单元(10)连接。
2.按照权利要求1所述的多层平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪，其特征在于：所 述的上基片(7)、中间基片(17)和下基片(20)为绝缘材料，所述的上分离电极(4)和下 分离电极(15)为导电材料。
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