[发明专利]一种掺杂ZrO2阻变存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种掺杂ZrO₂阻变存储器，包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的电阻转变存储层，其特征在于，所述下电极由Al制成，所述电阻转变存储层由Cu掺杂ZrO₂制成。

2.根据权利要求1所述的掺杂ZrO₂阻变存储器，其特征在于，所述电阻转变存储层包括第一金属氧化物薄膜、金属薄膜和第二金属氧化物薄膜，所述金属薄膜设置于所述第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜之间，所述第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜均为由ZrO₂制成的薄膜，所述金属薄膜为由Cu制成的薄膜。

3.根据权利要求2所述的掺杂ZrO₂阻变存储器，其特征在于，所述金属薄膜的厚度为1纳米～10纳米。

4.根据权利要求1所述的掺杂ZrO₂阻变存储器，其特征在于，所述上电极由金属材料、金属合金材料和导电金属化合物中的一种或者几种制成。

5.根据权利要求4所述的掺杂ZrO₂阻变存储器，其特征在于，所述金属材料为Cu、Au、Ag或者Pt。

6.根据权利要求4所述的掺杂ZrO₂阻变存储器，其特征在于，所述金属合金材料为Pt/Ti、Cu/Au、Au/Cr或者Cu/Al。

7.根据权利要求4所述的掺杂ZrO₂阻变存储器，其特征在于，所述导电金属化合物为TiN、TaN、ITO或者IZO。

8.根据权利要求1至7任一所述的掺杂ZrO₂阻变存储器，其特征在于，所述电阻转变存储层的厚度为20纳米～200纳米。

9.一种掺杂ZrO₂阻变存储器的制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：

步骤一：在衬底上形成Al电极作为下电极；

步骤二：在所述下电极上形成以Cu掺杂ZrO₂制成的薄膜作为电阻转变存储层；

步骤三：在所述电阻转变存储层上形成上电极。

10.根据权利要求9所述的掺杂ZrO₂阻变存储器的制作方法，其特征在于，所述步骤二包括以下步骤：在所述下电极上形成第一金属氧化物薄膜；在所述第一金属氧化物薄膜上形成金属薄膜；在所述金属薄膜上形成第二金属氧化物薄膜，其中，所述第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜均为由ZrO₂制成的薄膜，所述金属薄膜为由Cu制成的薄膜。