[发明专利]一种硒化镉纳米球的合成方法

说明书

技术领域

一种硒化镉纳米球的合成方法属于一种重要的半导体材料的合成领域。

背景技术

硒化镉是属于II-VI族半导体材料。由于其发射波长随纳米晶的尺寸而改变，其发射波长可以覆盖从绿到红的很大光谱范围，因此CdSe纳米晶可以应用在生物标记和荧光显示等领域。另外，可用于制作光电材料、电子发射器和光谱分析、太阳能电池、激光器等。纳米尺寸的半导体硒化镉则因其尺寸效应，会呈现一些新颖的物理性质.因此，合成硒化镉纳米球无论在学术研究还是在应用方面，均具有重要意义。该专利报道一种合成硒化镉纳米球的方法是利用有机分子——硒吩(C₄H₄Se)为原料之一参与反应实现的。这为研究半导体硒化镉性质和实际用途提供了新的合成方法和新材料。

经检索，现有技术中有26项关于硒化镉的专利报道，其中有13项关于硒化镉量子点的专利报道：

(1)“硒化镉/硫化镉/硫化锌核壳量子点的制备方法”(申请人：中国科学院上海技术物理研究所，发明人：乐阳；葛美英；吴杰；孙艳；陈鑫；戴宁；申请号：200710171388.1)，该发明报道一种低成本硒化镉(CdSe)/硫化镉(CdS)/硫化锌(ZnS)核壳量子点的制备方法，本发明的优点是：原料价格低廉，低毒性，操作简单，适合批量合成。

(2)“一种由二氧化硒合成硒化镉或硒化锌量子点的方法”(申请人：合肥工业大学，发明人：张忠平；蒋阳；王春；李国华；申请号：200710193410.2)，该发明报道一种由二氧化硒合成硒化镉或硒化锌量子点的方法，本方法完全不用烷基膦和其他对环境有害的溶剂和表面活性剂，且能得到尺寸分布较窄的高质量的量子点。

(3)“一种硒前驱液及其制备硒化镉或硒化锌量子点的方法”(申请人：合肥工业大学，发明人：蒋阳；王春；张忠平；李国华；申请号：200710193409.X)，该发明报道一种得到尺寸较窄的高质量的硒化镉量子点。

(4)“硒化镉量子点的制备方法”(申请人：中国科学院上海技术物理研究所，发明人：孙艳；陈静；孟祥建；戴宁；申请号：200410017119.6)，该发明报道一种硒化镉(CdSe)量子点的制备方法，用有机试剂对生成的CdSe量子点多次选择沉淀，得到尺寸分布均匀的CdSe量子点。

(5)“高质量硒化镉量子点的控温微波水相合成方法”(申请人：上海交通大学，发明人：任吉存；钱惠锋；李良；申请号：200410018022.7)，该发明报道一种高质量硒化镉量子点的控温微波水相合成方法，本发明方法操作简单，条件温和，成本低，合成产物硒化镉具有水溶性和稳定性好，荧光量子产率高，发射光谱可调，易与生物大分子连接等特点。

(6)“一种硒化镉纳米微粒的制备方法”(申请人：中国科学院长春应用化学研究所，发明人；刘晓播；陈延明；姬相玲；蒋世春；安立佳；姜炳政；申请号：200410011172.5)，该发明报道一种硒化镉纳米微粒的制备方法，反应过程为一步、一锅法的简单路线，最终得到无需尺寸分级，具有单一尺寸分布、高质量的硒化镉纳米粒子。

(7)“硒化镉和碲化镉量子点的合成方法”(申请人：中国科学院长春应用化学研究所，发明人：王强；潘道成；聂伟；蒋世春；姬相玲；安立佳；申请号：200410011201.8)，该发明报道溶剂热法合成硒化镉量子点的方法，合成的硒化镉量子点具有较窄的尺寸分布，表现为较窄的荧光发射，硒化镉量子点荧光发射峰半峰宽为22-33nm，碲化镉量子点荧光发射峰半峰宽为29-35nm。

(8)“合成硒化镉和硒化镉硫化镉核壳结构量子点的方法”(申请人：中国科学院长春应用化学研究所，发明人：潘道成；王强；姬相玲；蒋世春；安立佳；申请号：200410011299.7)，该发明报道一种硒化镉和硒化镉/硫化镉核壳结构量子点半导体发光材料的合成方法，所制备的半导体纳米颗粒在紫外灯能实现波长可调的可见光。

(9)“一种小粒径水溶性硒化镉量子点的制备方法及用途”(申请人：华中农业大学，发明人：韩鹤友；盛宗海；梁建功；申请号：200510019940.6)，该发明报道一种制备小粒径水溶性性硒化镉(CdSe)量子点的方法。合成的CdSe小粒径水溶性量子点材料可以作为生物探针和电化学发光传感器材料中得到应用。