[发明专利]内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器无效
| 申请号： | 200910087713.5 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101588018A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 徐晨;解意洋;沈光地;陈弘达;阚强;王春霞;刘英明;王宝强 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/065;H01S5/06;H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 萍 |
| 地址： | 100124*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内腔式多 有源 光子 晶体 垂直 发射 半导体激光器 | ||
【权利要求书】：
1.内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于：
从下至上依次为：背面电极、衬底、下DBR、由反向隧道结级联的多个单有源区构成的多有源区；氧化限制层，氧化限制层中心为氧化孔径为10-30μm的氧化孔；P型欧姆接触层、上金属电极、上DBR；
在上DBR的端面刻蚀1-3微米深度制作出缺陷型光子晶体结构；缺陷型光子晶体结构的周期为1-7个微米，占空比不能大于0.5；光子晶体缺陷腔被至少3圈孔径为0.2-5微米空气孔包围。
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