[发明专利]增甘磷插层结构选择性红外吸收材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种增甘磷插层结构选择性红外吸收材料，简写为GLYP-LDHs，其分子式为：

(M²⁺)_1-x(Al³⁺)_x(OH)₂(C₄H₉NO₈P₂^2-)_a(B^n-)_b·mH₂O

其中M²⁺是Zn²⁺或Mg²⁺；B^n-为荷电量为n的无机阴离子，B^n-为CO₃^2-、NO₃^-中的 一种；

0.1＜X＜0.8；a，b分别为C₄H₉NO₈P₂^2-和B^n-的数量，2a+n×b＝X；m为结晶水 数量，0.01＜m＜4；

该材料为超分子结构，晶体结构为类水滑石材料的晶体结构。

2.一种制备如权利要求1所述的增甘磷插层结构选择性红外吸收材料的方法，具 体步骤如下：

A.将层间阴离子为硝酸根或碳酸根的水滑石前体分散于去离子水或乙二醇中，充 分搅拌混合配制浓度为0.3-0.5mol/L的水滑石前体悬浮液；

所用的水滑石前体结构式为：(M²⁺)_1-x(Al³⁺)_x(OH)₂(B^n-)_b·mH₂O，其中M²⁺是Zn²⁺或Mg²⁺；B^n-为NO₃^-或CO₃^2-；0.1＜X＜0.8；b为B^n-的数量，n×b＝X；m为结晶水 数量，0.01＜m＜4；

B.将增甘磷，简写为GLYP，溶于去离子水中配制浓度为0.6-1.5mol/L的水溶液， 并将其加入带搅拌的反应器中，用NaOH调整溶液pH值为5-7；

C.在氮气保护下，一边快速搅拌，一边将步骤A配制的水滑石前体悬浮液加入 到步骤B的反应器中，使得增甘磷的摩尔量为水滑石中酸根摩尔量的2-3倍；调节体 系的pH值至5.5-8.0，在100-106℃温度下回流晶化2-6小时，过滤，洗涤，干燥得 到GLYP-LDHs。

3.一种如权利要求1所述的增甘磷插层结构选择性红外吸收材料在聚合物薄膜 中应用。

4.根据权利要求3所述的增甘磷插层结构选择性红外吸收材料在聚合物薄膜中应 用，其特征是该材料在聚乙烯或乙烯-醋酸乙烯共聚物薄膜中应用，将增甘磷插层结构 选择性红外吸收材料与不含增甘磷的水滑石按1∶1的质量比配合后应用于聚乙烯或乙 烯-醋酸乙烯共聚物薄膜中。