[发明专利]降低放大器噪声系数的电路有效

专利信息
申请号: 200910088727.9 申请日: 2009-07-09
公开(公告)号: CN101610068A 公开(公告)日: 2009-12-23
发明(设计)人: 吴雷 申请(专利权)人: 北京七星华创电子股份有限公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26;H03F3/04
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 代理人: 张国良
地址: 100016*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 降低 放大器 噪声系数 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及放大器相关的电路领域,具体涉及一种降低放大器噪 声系数的电路。

背景技术

噪声是任何电路及系统设计中所无法忽略的因素。尤其是热噪声, 即白噪声(由于电荷载体的热移动产生的噪声,热移动是指导体中的 大量电荷载体在不停地做无规则热运动,温度越高,电荷载体的无规 则的热运动越激烈),存在于所有电子元器件中。热噪声功率的表达 式为:

PN=kTΔf    (1)

其中k为Boltzmann常数,T为电子元器件的绝对温度(单位:开尔文), Δf为电子元器件的频率带宽。噪声模型可由两种形式表达。其中一种 是噪声电压源加串联电阻R,其等效电压vn的表达形式为:

vn2=4kTRΔf---(2)]]>

另一种是噪声电流源加并联电阻R,其等效电流in的表达形式为:

in2=4kT1RΔf---(3)]]>

图1为高频放大器的电路结构图,高频放大器包括依次连接的输 入匹配电路、晶体三极管和输出匹配电路。图中T为晶体三极管,它 是电路实现信号放大功能的基本组成要素。MI和MO分别表示输入匹 配电路、输出匹配电路。由于晶体三极管中寄生电阻的存在,采用晶 体三极管的任何放大器都会恶化输入信号的信噪比。其恶化的程度可 用下式中定义的噪声系数F来表达:

F=(S/N)in/(S/N)out    (4)

即放大器输入信噪比(S/N)in与输出信噪比(S/N)out的比值。或用 对数形式表达,即:

NF=10·log F    (5)

单位“dB”,N代表噪声。噪声系数越大说明该放大器对信噪比的 损害越大。因此现代无线通信系统中所有接收机的前端都要求使用低 噪声放大器,即噪声系数很小的放大器。其它类型的放大器,比如说 发射机中用到的功率放大器和预置放大器,在设计过程中也往往会对 噪声性能提出要求。

为使放大器电路中的晶体三极管能够正常工作,需要为晶体三极 管提供一个相对较大的工作电压VE和一个相对较小的偏置电压VB。 因为要使晶体三极管处于放大状态,其基极-射极之间的PN结应 该正偏,集电极-基极之间的PN结应该反偏。因此,设置晶体三 极管基射结正偏、集基结反偏,使晶体三极管工作在放大状态的电 路,简称为偏置电路(可以理解为设置正反偏的电路)。而使晶体 三极管工作在放大状态的关键是其基极电压,因此,基极电压又 称为偏置电压。

通常情况下,一个放大器电路只有一个供压源,它可以被用作工 作电压VE,而VB则必须由VE分压得到。图2展示了最简单也是最 常用的分压电路:电阻分压电路。图中R1代表发射极和基极之间的 连接的电阻,R2代表基极和集电极之间连接的电阻。

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