[发明专利]FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线、第一数据线和第二数据线，所述像素区域内形成有公共电极、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一像素电极和第二像素电极，所述第一数据线通过第一薄膜晶体管向第一像素电极提供第一数据信号，所述第二数据线通过第二薄膜晶体管向第二像素电极提供第二数据信号，所述第一数据信号与第二数据信号相对极性相反，所述第一像素电极和第二像素电极间隔设置。

2.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一数据信号与第二数据信号相对极性相反具体为：所述第一像素电极与公共电极之间的电压差等于所述公共电极与第二像素电极之间的电压差；即相对于公共电极，在所述第一像素电极具有正性电位时，所述第二像素电极具有负性电位；或在所述第一像素电极具有负性电位时，所述第二像素电极具有正性电位。

3.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述栅线作为第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅电极，所述第一薄膜晶体管的第一源电极与第一数据线连接，第一漏电极与第一像素电极连接，所述第二薄膜晶体管的第二源电极与第二数据线连接，第二漏电极与第二像素电极连接。

4.根据权利要求1～3中任一权利要求所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极和第二像素电极为依次排列的电极条结构，每个像素电极的电极条通过连接条相互连接，所述第一像素电极中相邻的两个电极条之间设置有一个第二像素电极的电极条，或第二像素电极中相邻的两个电极条之间设置有一个第一像素电极的电极条。

5.根据权利要求4所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述电极条的宽度为2μm～4μm，相邻的第一像素电极的电极条与第二像素电极的电极条之间的间距为8μm～12μm。

6.一种FFS型TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括公共电极的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和公共电极线的图形，所述公共电极线与公共电极连接；

步骤3、在完成步骤2的基板上通过沉积结构层和构图工艺形成包括第一有源层、第二有源层、第一数据线、第二数据线、第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极的图形；

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括钝化层第一过孔和钝化层第二过孔的图形，所述钝化层第一过孔位于第一漏电极的所在位置，所述钝化层第二过孔位于第二漏电极的所在位置；

步骤5、在完成步骤4的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括第一像素电极和第二像素电极的图形，所述第一像素电极通过钝化层第一过孔与第一漏电极连接，所述第二像素电极通过钝化层第二过孔与第二漏电极连接。

7.根据权利要求6所述的FFS型TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤3包括：

采用等离子体增强化学气相沉积方法，依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜；

采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积源漏金属薄膜；

在所述源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶；

采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域；光刻胶完全保留区域对应于第一数据线、第二数据线、第一源电极、第一漏电极、第二源电极和第二漏电极图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于第一TFT沟道区域和第二TFT沟道区域图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度减少；

通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜、掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，形成包括第一数据线和第二数据线的图形；

通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜；

通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，并刻蚀掉部分厚度的半导体薄膜，形成包括第一源电极、第一漏电极、第一TFT沟道区域、第二源电极、第二漏电极和第二TFT沟道区域的图形；

剥离剩余的光刻胶。