[发明专利]一种低温快速沉积硫化铜纳米薄膜的方法

权利要求书

1.一种低温快速沉积硫化铜纳米薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

a)衬底的预处理：将衬底依次用甲苯、丙酮、乙醇在超声清洗器中充分清洗后，再用去离子水冲洗，并浸泡在乙醇中备用；

b)将Cu(Ac)₂粉末溶解于去离子水中，充分搅拌均匀，加入与Cu(Ac)₂等物质的量的络合剂EDTA-2Na，持续搅拌溶液，得到澄清透明的蓝色溶液A；

c)向溶液A中加入NaOH溶液和HCl溶液调节pH值至6～10，得到溶液B；

d)向溶液B中缓慢加入与Cu(Ac)₂等物质的量的硫代乙酰胺，并搅拌均匀，得到澄清透明溶液C；

e)将经过预处理的衬底用氮气吹干，放入溶液C中，使衬底倒置漂浮于溶液C表面，微波辐照20min～40min，得到CuS薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种低温快速沉积硫化铜纳米薄膜的方法，其特征在于，所述衬底为导电衬底或者半导体衬底。

3.根据权利要求2所述的一种低温快速沉积硫化铜纳米薄膜的方法，其特征在于，所述导电衬底为FTO玻璃，所述的半导体衬底为硅(100)。