[发明专利]深硅刻蚀方法、等离子体加工方法和系统

权利要求书

1.一种等离子体加工方法，其特征在于，包括：

实时监测工艺腔室内气体成分，当监测到预设工艺气体存在时，对工艺腔室内等离子体施加相应的偏压功率值；

所述等离子体在所述偏压功率的作用下轰击工艺腔室内的基片。

2.根据权利要求1所述的等离子体加工方法，其特征在于，所述当监测到预设工艺气体存在时对工艺腔室内等离子体施加相应的偏压功率包括以下步骤：

接收所述实时监测工艺腔室内气体成分的监测信号，

根据所述监测信号判断预设工艺气体是否存在，如果是，

则查找与所述预设工艺气体相应的偏压功率值，

对工艺腔室内的等离子体施加所述偏压功率值。

3.根据权利要求2所述的等离子体加工方法，其特征在于，所述监测信号中含有工艺气体标识，所述根据监测信号判断预设工艺气体是否存在包括以下步骤：

识别所述监测信号中的工艺气体标识；

确认所述标识是否对应所述预设工艺气体。

4.根据权利要求2所述的等离子体加工方法，其特征在于，所述根据监测信号判断预设工艺气体是否存在包括以下步骤：

由所述监测信号获得工艺腔室内气体的光谱图；

检测所述光谱图中所述预设工艺气体所包含的元素的谱线强度是否发生变化。

5.根据权利要求2-4任一项所述的等离子体加工方法，其特征在于，所述根据监测信号判断预设工艺气体存在，如果是，则还包括以下步骤：判断所述监测信号的强度是否超过阈值。

6.一种深硅刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、实时监测工艺腔室内的气体成分；

B、开启第一工艺气体的管路，当监测到第一工艺气体存在时，对工艺腔室内等离子体施加第一偏压功率值，进行沉积步骤，以在刻蚀面、侧壁和光阻层的表面覆盖阻挡层；

C、关闭第一工艺气体的管路并开启第二工艺气体的管路，当监测到第二工艺气体存在时，对工艺腔室内等离子体施加第二偏压功率值，进行刻蚀面阻挡层去除步骤，以去除所述刻蚀面上覆盖的阻挡层而使所述刻蚀面暴露；

D、关闭第二工艺气体的管路并开启第三工艺气体的管路，当监测到第二工艺气体存在时，对工艺腔室内等离子体施加第二偏压功率值，进行刻蚀步骤，以刻蚀所述暴露的刻蚀面；

E、循环重复所述步骤B、步骤C和步骤D直至达到预定的刻蚀深度。

7.根据权利要求6所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述第一工艺气体包括C₄F₈。

8.根据权利要求6所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述第二工艺气体包括Ar和O₂的一种或其组合。

9.根据权利要求6所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述第三工艺气体包括SF₆。

10.一种等离子体加工系统，其特征在于，包括：工艺腔室、监测装置、控制装置和电源装置，其中，

所述工艺腔室，用于放置基片并提供等离子体加工的密封环境；

所述监测装置，设置于所述工艺腔室内，用于实时监测工艺腔室内气体成分；

所述电源装置，与所述工艺腔室电性连接，用于提供等离子体激励功率和偏压功率；

所述控制装置，分别与所述电源装置和监测装置连接，用于当监测装置监测到预设工艺气体存在时，控制电源装置对工艺腔室内等离子体施加相应的偏压功率值，以使所述等离子体在所述偏压功率的作用下轰击工艺腔室内的基片。

11.根据权利要求10所述的等离子体加工系统，其特征在于，所述控制装置包括：

接收单元，用于接收实时监测所述工艺腔室内气体成分的监测信号；

判断单元，用于根据所述监测信号判断预设工艺气体是否存在；

查找单元，用于当所述判断单元判断预设工艺气体存在时，查找与预设工艺气体相应的偏压功率值；

指令单元，用于命令所述电源装置对所述工艺腔室内的等离子体施加所述偏压功率值。

12.根据权利要求11所述的等离子体加工系统，其特征在于，所述判断单元包括：

识别模块，用于识别监测信号中的工艺气体标识；

确认模块，用于确认所述标识是否对应所述预设工艺气体。