[发明专利]一种基于键合工艺的三层连续面型MEMS变形镜的制作工艺

权利要求书

1.一种基于键合工艺的三层连续面型MEMS变形镜的制作工艺，其特征在于步骤如 下：

(1)取一块玻璃或硅片作为基底；

(2)光刻并刻蚀，在基底上形成0.3～2.0微米深的槽；

(3)沉积0.3～2.0微米厚的多晶硅或非晶硅或金属薄膜，然后光刻并刻蚀，刻蚀深 度等于这层薄膜的厚度，形成变形镜的下电极和引线；

(4)沉积厚度为0.1～1.0微米的氮化硅薄膜，然后光刻并刻蚀，刻蚀深度等于这层 薄膜的厚度，使得氮化硅薄膜将下电极覆盖，从而避免静电拉入效应对器件造成短路的 损害；

(5)取一块SOI晶片，晶片的硅结构层厚度是0.3～20.0微米，氧化层厚度是0.3～ 10微米，硅基底厚度为300～1000微米，或者在厚300-1000微米的普通硅片硅基底的 上表面热氧化一层厚0.3～10微米的氧化层，然后在氧化层上表面键合一块硅片并将这 块硅片用机械或化学的方法减薄到0.3～20微米厚并将其磨平；

(6)对步骤(5)得到的晶片上下表面都沉积两层二氧化硅和两层氮化硅，顺序是二 氧化硅→氮化硅→二氧化硅→氮化硅，为后续的湿法刻蚀或干法刻蚀做准备；

(7)对步骤(6)得到的结构下表面进行两次光刻和刻蚀，形成台阶状的结构，为后 续的湿法刻蚀做准备；

(8)以步骤(7)得到的台阶状的氮化硅和二氧化硅为掩膜进行湿法或干法刻蚀硅基 底，刻蚀至距离硅基底的上表面12～52微米处停止；

(9)然后将步骤(8)所得的结构湿法或干法刻蚀掉一层氮化硅和二氧化硅，以剩余 的氮化硅和二氧化硅作掩膜进行湿法或干法刻蚀硅基底，深度为10～50微米；

(10)将步骤(9)中所得到的结构上下表面剩余的二氧化硅和氮化硅用湿法或干法 刻蚀除掉；

(11)将步骤(3)中得到的结构的上表面和步骤(10)中得到的结构的下表面进行 熔融键合或阳极键合或低温键合；

(12)对步骤(10)中得到的结构的上表面进行光刻并刻蚀，形成释放孔，然后将释 放孔下面的氧化层释放，只保留从上向下看将第一层和第二层连接的连接体。