[发明专利]基于硒等离子体制备铜铟镓硒薄膜及光伏薄膜电池的设备

权利要求书

1.一种制备铜铟镓硒光伏薄膜的设备，其特征在于，包括：

蒸发源室；

离子源，用以离化工作气体使其处于等离子体态，以向蒸发源室内提供该等离子体；

电子枪，用以蒸发硒材料以于蒸发源室内产生硒蒸气，其坩埚接正偏压，使工作气体在电离过程中所产生的电子云与硒蒸气相互碰撞，产生硒等离子体；以及

蒸发源，置于所述蒸发源室中，用于在硒等离子体气氛下，分别蒸发铜、铟、镓金属材料，以在基片上沉积铜铟镓硒光伏薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒光伏薄膜的设备，其特征在于，所述离子源放电电流为0～500A；放电电压为80～500V。

3.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒光伏薄膜的设备，其特征在于，所述电子枪加速电压DC-5～-25KV；束流为0～4A；所述坩埚偏压为80～500V。

4.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒光伏薄膜的设备，其特征在于，所述蒸发源加热温度≤1800℃；控温精度±0.1℃。

5.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒光伏薄膜的设备，其特征在于，还包括一薄膜沉积室，位于所述蒸发源室上方，其底部与所述蒸发源室顶部连接，所述薄膜沉积室底部具有一基片架，所述坩埚位于所述蒸发源室底部并位于所述基片架的中心位置的正下方，所述坩埚与所述基片架的中心位置连线构成一垂直轴线。

6.根据权利要求5所述的制备铜铟镓硒光伏薄膜的设备，其特征在于，所述离子源设置于所述蒸发源室外壁并接入所述蒸发源室，所述电子枪设置于所述蒸发源室外壁并倾斜接入所述蒸发源室，以使所述电子枪射出的电子朝向所述坩埚方向，所述电子枪与所述离子源之间成一角度布局，所述离子源为多个，所述多个离子源沿所述轴线圆周分布并指向所述基片架的中心位置。

7.根据权利要求5所述的制备铜铟镓硒光伏薄膜的设备，其特征在于，所述离子源设置于所述蒸发源室内，所述电子枪倾斜设置于所述蒸发源室内，以使所述电子枪射出的电子朝向所述坩埚方向，所述电子枪与所述离子源之间成一角度布局，所述蒸发源为多个，所述多个蒸发源沿所述轴线圆周分布并指向基片架中心位置。

8.根据权利要求6所述的制备铜铟镓硒光伏薄膜的设备，其特征在于，所述蒸发源为3至7个。

9.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒光伏薄膜的设备，其特征在于，基片上沉积铜铟镓硒光伏薄膜的温度为25～500℃。

10.一种制备铜铟镓硒光伏薄膜电池的设备，其特征在于，包括权利要求1至9中任意一项所述的制备铜铟镓硒光伏薄膜的设备。