[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD主要由对盒的阵列基板和彩膜基板构成，其中阵列基板上形成有矩阵式排列的薄膜晶体管和像素电极，每个像素电极由薄膜晶体管控制。当薄膜晶体管打开时，像素电极在打开时间内充电，充电结束后，像素电极电压将维持到下一次扫描时重新充电。由于现有薄膜晶体管结构中漏电极与栅电极之间存在寄生电容，因此在像素电极充电结束的瞬间，会产生一个跳变电压ΔV_p，跳变电压的表达式为：其中V_gh为栅电极的开启电压，V_gl为栅电极的关断电压，C_lc为液晶电容，C_gd为寄生电容，C_s为存储电容。研究表明，由于寄生电容而产生的跳变电压ΔV_p会使像素电极的极性发生改变，进而导致正负极性的电压差不一致，从而使显示画面产生闪烁现象，严重地影响了显示质量。

目前，现有TFT-LCD阵列基板制造过程中，在采用湿法刻蚀工艺制作栅电极时，由于栅电极采用厚度较厚(厚度为)的金属薄膜材料制备，且湿法刻蚀存在刻蚀均一性较差的缺陷，因此在同一张母板的不同位置处，栅电极两侧斜坡的坡度角差异较大，斜坡所占据面积的差异也较大。而栅电极两侧的斜坡位于漏电极与栅电极之间的重合区域内，当栅电极两侧斜坡的坡度角较小时，漏电极与栅电极的重叠面积比较大，当栅电极两侧斜坡的坡度角较大时，漏电极与栅电极的重叠面积比较小，因此坡度角直接影响着漏电极与栅电极的重叠面积。由电容公式可知，寄生电容的大小与该重叠面积成正比，因此较大差异的坡度角导致同一张母板不同位置处各薄膜晶体管的寄生电容差异较大，继而造成TFT-LCD阵列基板各薄膜晶体管的跳变电压ΔV_p差异较大。在制作大尺寸液晶面板时，不仅母板的尺寸更大，而且栅电极的厚度进一步增加，因此加剧了同一张母板不同位置处栅电极两侧斜坡坡度角的差异，加剧了各薄膜晶体管寄生电容的差异，加剧了各薄膜晶体管跳变电压ΔV_p的差异。较大的跳变电压ΔV_p差异将使驱动电路更难调节，加剧了显示画面的闪烁现象，更加严重地影响了TFT-LCD的显示质量。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，有效解决现有结构存在各薄膜晶体管跳变电压差异较大的技术缺陷。

为实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅电极与所述像素电极同层设置，并由透明导电薄膜制成。

所述透明导电薄膜的厚度为

所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极、漏电极和连接电极；所述基板上形成有遮挡层，所述遮挡层与栅线同层；所述遮挡层和栅线上形成有覆盖整个基板的第一绝缘层，所述栅电极形成在所述第一绝缘层上并位于所述遮挡层的上方；所述栅电极上形成有覆盖整个基板的第二绝缘层，所述第二绝缘层上开设有第一过孔、第二过孔和第三过孔，所述第一过孔位于所述像素电极的所在位置，所述第二过孔位于所述栅电极的所在位置，所述第三过孔位于所述栅线的所在位置；包括半导体层和掺杂半导体层的有源层形成在所述第二绝缘层上并位于所述栅电极的上方；所述源电极的一端位于所述有源层上，另一端与所述数据线连接；所述漏电极的一端位于所述有源层上，另一端通过所述第一过孔与像素电极连接；所述连接电极的一端通过所述第二过孔与栅电极连接，另一端通过所述第三过孔与栅线连接；上述构图上形成有覆盖整个基板的第三绝缘层。

所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极、漏电极和连接电极：所述基板上形成有遮挡层，包括半导体层和掺杂半导体层的有源层位于所述遮挡层的上方；所述源电极形成在所述有源层上，一端位于所述遮挡层的上方，另一端与所述数据线连接；所述漏电极形成在所述有源层上，一端位于所述遮挡层的上方，与所述源电极相对设置；所述源电极和漏电极上形成有覆盖整个基板的第一绝缘层，所述第一绝缘层上开设有使漏电极与像素电极连接的第一过孔，所述栅电极形成在所述第一绝缘层上，并位于所述遮挡层的上方；所述连接电极形成在所述第一绝缘层上，一端压设在栅电极上，另一端与栅线连接。