[发明专利]一种红外探测器热绝缘结构及其制备方法

权利要求书

1.一种红外探测器热绝缘结构制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、采用磁控溅射方法在红外探测器衬底上沉积牺牲层；所述牺牲层 材料是硫化锌；

步骤二、通过第一次光刻和刻蚀过程在牺牲层中制备小孔；

步骤三、在牺牲层上沉积热敏感多层膜，同时将所述小孔填满；

步骤四、通过第二次光刻和刻蚀过程在将红外探测器衬底以上的部分划分 成像元阵列，所述小孔均匀地分布在每个像元的边缘处；所述步骤四具体包括 如下过程：匀胶设备在热敏感多层膜上面涂敷光刻胶，经过紫外曝光后在光刻 胶上光刻出像元阵列图形，然后利用电感耦合等离子体刻蚀形成深至红外探测 器衬底为止的像元间隔；

步骤五、去除牺牲层。

2.根据权利要求1所述红外探测器热绝缘结构制备方法，其特征在于，所 述步骤二具体包括如下过程：使用匀胶设备在牺牲层上面涂敷光刻胶，经过紫 外曝光后在光刻胶上光刻出小孔的图形，然后利用电感耦合等离子体刻蚀将小 孔处的牺牲层完全去除，最终在红外探测器衬底上形成带有小孔的牺牲层。

3.根据权利要求1所述红外探测器热绝缘结构制备方法，其特征在于，所 述步骤五具体包括如下过程：将经过步骤四后得到的器件放入牺牲层腐蚀液中 浸泡，取出后去除残留腐蚀液最后经烘烤成形。

4.根据权利要求3所述红外探测器热绝缘结构制备方法，其特征在于，所 述牺牲层腐蚀液是浓度为36％-38％的盐酸溶液。

5.一种根据权利要求1所述的制备方法制得的红外探测器热绝缘结构，其 特征在于，

热敏感多层膜划分为矩形的像元阵列，像元间隔深至红外探测器衬底为止， 在红外探测器衬底与热敏感多层膜之间设有与热敏感多层膜材料相同的支撑 柱，所述支撑柱均匀的分布在每个像元的边缘处。

6.根据权利要求5所述红外探测器热绝缘结构，其特征在于，所述矩形的 像元阵列为正方形的像元阵列或者长方形的像元阵列。

7.根据权利要求5或6所述红外探测器热绝缘结构，其特征在于，所述每 个像元的边缘处包括每个像元的四个角处。