[发明专利]一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法

权利要求书

1.一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法，其特征在于，该方法包括：

A、将单粒子入射节点处的电荷收集机制采用瞬态电流源来表示；

B、在瞬态失效分析时将CMOS电路分为不同的级段，每个级段均由NMOS模块和PMOS模块构成；

C、将CMOS电路单粒子瞬态简化为输出节点集总有效负载电容C、有效电阻R和瞬态电流源的并联回路；

D、推导出单粒子瞬态脉冲宽度表达式和瞬态脉冲峰值表达式；

E、当单粒子入射节点瞬态脉冲峰值超过V_DD/2时，认为发生单粒子翻转错误。

2.根据权利要求1所述的CMOS电路单粒子瞬态的建模方法，其特征在于，步骤A中所述的瞬态电流源表达式为Ip(t)＝I₀(e^-t/τα-e^-t/τβ)，I₀是最大电荷收集电流，τα是结收集时间常数，τβ是初始建立离子轨迹的时间常数。

3.根据权利要求1所述的CMOS电路单粒子瞬态的建模方法，其特征在于，步骤B中所述的在瞬态失效分析时将CMOS电路分为不同的级段，这种方法与逻辑电路级设计时序分析方法类似，每个级段均由NMOS模块和PMOS模块构成。

4.根据权利要求1所述的CMOS电路单粒子瞬态的建模方法，其特征在于，步骤C中所述的有效电阻R，在NMOS模块开启时为有效下拉电阻，在PMOS模块开启时为有效上拉电阻。

5.根据权利要求1所述的CMOS电路单粒子瞬态的建模方法，其特征在于，步骤D中所述的单粒子瞬态脉冲宽度表达式为单粒子瞬态脉冲峰值为Vpeak=I0ταRτα-RC((ταRC)RC/(RC-τα)-(ταRC)τα/(RC-τα)).]]>

6.根据权利要求1所述的CMOS电路单粒子瞬态的建模方法，其特征在于，步骤E中所述的当单粒子入射节点电压改变超过V_DD/2时，认为发生单粒子翻转错误，对于逻辑阈值不等于V_DD/2的情况，只需调整V_peak，并不影响模型等式的正确性。