[发明专利]FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括公共电极区域、公共电极线区域、栅电极区域、数据线区域、半导体层区域，源电极区域、漏电极区域、栅线区域、像素电极区域及PAD区域的数据线区域，其特征在于，包括：

步骤1：在透明基板上依次沉积第一透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜，通过第一构图工艺形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；

步骤2：沉积半导体薄膜，通过第二构图工艺形成包括掺杂半导体层、TFT沟道和半导体层的图形；

步骤3：沉积绝缘薄膜、通过第三构图工艺形成在PAD区域的数据线区域形成连接孔的图形；

步骤4、沉积第二透明导电薄膜和栅金属薄膜，通过第四构图工艺形成包括栅线、栅电极、公共电极以及公共电极线的图形。

2.根据权利要求1的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

提供透明基板；

在所述透明基板上依次沉积第一透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜；

在掺杂半导体薄膜上涂敷光刻胶；

通过第一双调掩模板对所述光刻胶进行曝光及显影处理，使得所述数据线区域、源电极区域及漏电极区域的光刻胶具有第一厚度，所述像素电极区域的光刻胶具有第二厚度，所述第一厚度大于第二厚度，其余区域不存在光刻胶；

通过第一刻蚀工艺完全刻蚀掉所述其余区域的掺杂半导体薄膜、源漏金属薄膜和第一透明导电薄膜；

通过灰化工艺去除第二厚度的光刻胶，暴露出所述像素电极区域的掺杂半导体薄膜；

通过第二刻蚀工艺完全刻蚀掉所述像素电极区域的掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜；

剥离剩余光刻胶。

3.根据权利要求1的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：

沉积半导体薄膜；

在所述半导体薄膜上涂覆光刻胶；

通过掩膜板对所述光刻胶进行曝光和显影处理，仅在所述半导体层区域保留光刻胶；

通过第三刻蚀工艺刻蚀掉暴露出的半导体薄膜；

剥离剩余光刻胶。

4.根据权利要求1的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：

沉积绝缘薄膜；

在所述绝缘薄膜上涂覆光刻胶；

通过掩膜板对所述光刻胶进行曝光和显影处理，除了PAD区域的数据线区域之外，其他区域保留有光刻胶；

通过第四刻蚀工艺刻蚀掉暴露出的绝缘薄膜；

剥离剩余光刻胶。

5.根据权利要求1的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤4具体包括：

依次沉积第二透明导电薄膜和栅金属薄膜；

在所述栅金属薄膜上涂覆光刻胶；

通过第二双调掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理，使得所述栅电极区域、栅线区域以及公共电极线区域的光刻胶具有第三厚度，所述PAD区域的数据线区域以及公共电极区域的光刻胶具有第四厚度，所述第三厚度大于第四厚度，其余区域不存在光刻胶；

通过第五刻蚀工艺完全刻蚀掉所述其余区域的所述第二透明导电薄膜和栅金属薄膜；

通过灰化工艺去除第四厚度的光刻胶，暴露出所述公共电极区域以及PAD区域的数据线区域的栅金属薄膜；

通过第六刻蚀工艺刻蚀掉所述公共电极区域以及PAD区域的数据线区域的栅金属薄膜；

剥离剩余光刻胶。

6.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘薄膜为SiNx、SiOx或SiOxNy的单层薄膜，或这些材料多层沉积形成的多层薄膜。

7.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述源漏金属薄膜或栅金属薄膜为钼、铝、铝钕合金、钨、铬、铜形成的单层薄膜，或为以上金属多层沉积形成的多层薄膜。

8.根据权利要求2所述的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，通过磷酸和硝酸的混合物制得的刻蚀剂对源漏金属薄膜进行刻蚀；

9.根据权利要求2所述的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，通过硫酸或过氧化物对透明导电薄膜进行刻蚀。