[发明专利]InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构

权利要求书

1.一种应用于InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构，其特征在于，该结构由并联在InP DHBT器件集电极端的电阻-扇形电容串联网络构成，其中，电阻的一端连接于InP DHBT器件的集电极端，另一端连接于扇形电容的圆心，电阻与扇形电容串联连接。

2.根据权利要求1所述的应用于InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构，其特征在于，所述电阻采用镍铬薄膜制作而成。

3.根据权利要求2所述的应用于InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构，其特征在于，所述电阻的制作过程包括：

在InP DHBT半导体工艺流程中，DHBT集电极金属制作完成之后，采用磁控溅射机在InP衬底上溅射厚度为80纳米的镍铬合金薄膜，并且其一端与DHBT器件集电极金属部分重叠。

4.根据权利要求1所述的应用于InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构，其特征在于，所述扇形电容是金属-苯并环丁烯-金属叠层电容。

5.根据权利要求4所述的应用于InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构，其特征在于，所述金属-苯并环丁烯-金属叠层扇形电容包括三层结构：

最下层为在InP衬底上利用电子束蒸发制作的扇形金属结构：镍/锗/金/锗/镍/金，各种金属组分的厚度分别为2/4/66/8/3/250纳米；

中间层是厚度为800纳米的苯并环丁烯介质；

最上层为利用电子束蒸发制作的金属结构：钛/金/钛/铝/钛/铝/钛/金，各种金属组分的厚度分别为20/50/10/500/10/500/10/50纳米。

6.根据权利要求1所述的应用于InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构，其特征在于，所述电阻和扇形电容制作于InP衬底之上，与InP DHBT半导体工艺兼容。

7.根据权利要求1所述的应用于InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构，其特征在于，所述电阻和扇形电容的物理尺寸参数，通过对功率放大器电路进行原理图仿真和电磁仿真计算得到。