[发明专利]晶片电荷检测装置无效
| 申请号： | 200910090668.9 | 申请日： | 2009-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102004194A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 唐景庭;伍三忠;孙雪平;王迪平;谢均宇 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G01R29/24 | 分类号： | G01R29/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101111 北京市中关村科技园通州园光机*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 电荷 检测 装置 | ||
【权利要求书】：
1.电荷检测装置由电荷收集天线1和线路板2组成，其特征在于：
(1)天线1将收集到的电荷通过天线支杆6传送到N沟道增强型MOS场效应管Q2和P沟道增强型MOS场效应管Q1；
(2)当天线收集到正电荷时N沟道增强型MOS场效应管Q2输出正电流，A1输出为负，Q3(PNP管)导通，那么输出电压UO为正，其大小正比于天线收集到的积累电压；
(3)当天线收集到负电荷时P沟道增强型MOS场效应管Q1输出负电流，A1输出为正，Q4(NPN管)导通，那么输出电压UO为负，其大小正比于天线收集到的积累电压。
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