[发明专利]一种等离子体处理设备、方法及腔室清洗方法

权利要求书

1.一种等离子体处理设备，包括工艺腔室、上电极、下电极以及设置于工艺腔室内部并围绕腔室内壁的内衬，所述上电极连接有上电极射频电源以获得射频功率，所述下电极连接有下电极射频电源以获得射频功率，其特征在于，所述内衬连接有能够为其提供射频功率的内衬射频电源。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述内衬射频电源的功率为1W～50W。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述内衬射频电源的功率为3W～15W。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述内衬射频电源的频率为25KHz～100MHz。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述内衬射频电源的频率为1MHz～27MHz。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述内衬射频电源包括设置在所述内衬和地之间的一个独立的射频电源。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理设备，其特征在于，在所述内衬和所述内衬射频电源之间还设置有内衬匹配器。

8.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述内衬射频电源包括所述上电极射频电源，在所述上电极射频电源和所述上电极之间设置上电极功率分配器，并将所述上电极功率分配器与所述内衬相连接，以将所述上电极射频电源的部分射频功率提供给所述内衬。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理设备，其特征在于，在所述上电极射频电源和上电极功率分配器之间设置有上电极匹配器。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述内衬射频电源包括所述下电极射频电源，在所述下电极射频电源和所述下电极之间设置下电极功率分配器，并将所述下电极功率分配器与所述内衬相连接，以将所述下电极射频电源的部分射频功率提供给所述内衬。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理设备，其特征在于，在所述下电极射频电源和下电极功率分配器之间设置有下电极匹配器。

12.一种等离子体处理方法，用以在等离子体加工/处理过程中减少反应副产物在工艺腔室内衬上的沉积，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

10)为所述内衬设置能够为其提供射频功率的内衬射频电源；

20)借助于上电极射频电源和/或下电极射频电源所加载的射频功率，而将注入腔室的工艺气体激发为等离子体；

30)借助于工艺气体所形成的等离子体对待加工工件进行等离子体加工/处理；同时，通过内衬射频电源对所述内衬加载射频功率而引导所述等离子体对内衬进行适当轰击，以去除在工艺腔室内衬上所沉积的反应副产物。

13.根据权利要求12所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述内衬射频电源的功率为1W～50W。

14.根据权利要求13所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述内衬射频电源的功率为3W～15W。

15.根据权利要求12所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述内衬射频电源包括设置在所述内衬和地之间的一个独立的射频电源。

16.根据权利要求12所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述内衬射频电源包括所述上电极射频电源，在所述上电极射频电源和上电极之间设置上电极功率分配器，并将所述上电极功率分配器与所述内衬相连接，以将所述上电极射频电源的部分射频功率提供给所述内衬。

17.根据权利要求12所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述内衬射频电源包括所述下电极射频电源，在所述下电极射频电源和下电极之间设置下电极功率分配器，并将所述下电极功率分配器与所述内衬相连接，以将所述下电极射频电源的部分射频功率提供给所述内衬。

18.一种腔室清洗方法，用以快速去除沉积在工艺腔室内衬上的反应副产物，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

100)为所述内衬设置能够为其提供射频功率的内衬射频电源；

200)借助于上电极射频电源和/或下电极射频电源所加载的射频功率，而将注入腔室的清洗气体激发为等离子体；

300)借助于清洗气体所形成的等离子体对工艺腔室进行清洗处理；同时，通过内衬射频电源对所述内衬加载射频功率而引导所述等离子体对内衬进行适当轰击，以去除在工艺腔室内衬上所沉积的反应副产物。