[发明专利]微结构薄膜图形和TFT-LCD阵列基板制造方法

权利要求书

1.一种微结构薄膜图形制造方法，其特征在于，包括：

步骤11、在基板上形成一层薄膜；

步骤12、采用喷墨打印装置以设定的刻蚀图形在所述薄膜上喷射或滴下刻蚀剂；

步骤13、所述刻蚀剂对所述薄膜进行腐蚀；

步骤14、清洗所述刻蚀剂，在所述基板上形成薄膜图形。

2.根据权利要求1所述的微结构薄膜图形制造方法，其特征在于，所述步骤11为：采用磁控溅射、真空溅射或热蒸发方法，沉积一层栅金属薄膜、源漏金属薄膜或透明导电薄膜，或者，采用等离子体增强化学气相沉积方法，沉积一层栅绝缘薄膜、半导体薄膜或钝化薄膜。

3.根据权利要求1所述的微结构薄膜图形制造方法，其特征在于，所述步骤11为：采用喷墨打印装置在基板上喷射或滴下一层薄膜，所述薄膜为栅金属薄膜、栅绝缘薄膜、半导体薄膜、源漏金属薄膜、钝化薄膜或透明导电薄膜。

4.根据权利要求1所述的微结构薄膜图形制造方法，其特征在于，所述步骤13中还包括：将基板加热到30℃～80℃。

5.根据权利要求1～4中任一权利要求所述的微结构薄膜图形制造方法，其特征在于，所述步骤12中喷墨打印装置包括带有喷嘴的喷墨打印头，所述喷嘴直径为5微米～100微米。

6.根据权利要求1～4中任一权利要求所述的微结构薄膜图形制造方法，其特征在于，所述步骤12中刻蚀剂为腐蚀液或酸蚀膏，所述刻蚀剂的黏滞性小于20豪帕·秒，表面张力为20毫牛每米～400毫牛每米，可湿润能力接触角为45度～90度。

7.根据权利要求6所述的微结构薄膜图形制造方法，其特征在于，所述薄膜图形与刻蚀图形为互补图形；在刻蚀剂为腐蚀液时，所述刻蚀图形的边缘与薄膜图形的边缘之间间距为30微米～50微米，在刻蚀剂为酸蚀膏时，所述刻蚀图形的边缘与薄膜图形的边缘之间间距为10微米～30微米。

8.一种微结构薄膜图形制造方法，其特征在于，包括：

步骤21、采用喷墨打印装置以设定的墨水图形在基板上喷射或滴下薄膜材料溶液；

步骤22、烘干所述薄膜材料溶液，在所述基板上形成薄膜图形。

9.根据权利要求8所述的微结构薄膜图形制造方法，其特征在于，所述步骤21中喷墨打印装置包括带有喷嘴的喷墨打印头，所述喷嘴直径为5微米～50微米。

10.根据权利要求8所述的微结构薄膜图形制造方法，其特征在于，所述步骤22中烘干所述薄膜材料溶液为：通过30℃～200℃的加热烘干所述薄膜材料溶液。

11.根据权利要求8～10中任一权利要求所述的微结构薄膜图形制造方法，其特征在于，所述薄膜材料溶液的黏滞性小于20豪帕·秒，表面张力为20毫牛每米～400毫牛每米，可湿润能力接触角为45度～90度；所述薄膜材料溶液是颗粒与溶剂混合形成的液体或者悬浮体胶质，所述颗粒为氮化硅、二氧化硅或非晶硅纳米颗粒、金属纳米颗粒、金属氧化物导体纳米颗粒，所述溶剂是无机、有机或高分子溶剂。

12.根据权利要求11所述的微结构薄膜图形制造方法，其特征在于，所述墨水图形小于薄膜图形；在薄膜材料溶液为液体时，所述墨水图形的边缘与薄膜图形的边缘之间间距为30微米～50微米，在薄膜材料溶液为悬浮体胶质时，所述墨水图形的边缘与薄膜图形的边缘之间间距为10微米～30微米。

13.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，采用喷墨打印装置依次形成各阵列结构层。