[发明专利]全硅基材料光收发模块有效
申请号: | 200910091399.8 | 申请日: | 2009-08-19 |
公开(公告)号: | CN101995617A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 李运涛;俞育德;余金中 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基材 收发 模块 | ||
技术领域
本发明涉及光互连技术领域,尤其是一种全硅基材料光收发模块。
背景技术
光互连被认为是解决电互连速度慢,功耗高,串扰严重等问题的最有潜力的替代方案,同时在光纤通信与中远距离互连中也有重要的应用。光互连与常规的金属互连相比,具有卓越的潜在优势,这些优势是基于光与电固有的物理特性差别。光信号和电信号都是电磁波,不同之处在于它们的振荡频率f,对光波和电波来说其频率分别约为1014≤f光≤1015和f电≤1011Hz。典型的光频率至少比信号带宽大3个数量级。这意味着调制光波对信号带宽有着巨大的处理能力。大的光频率具有产生短脉冲的能力,短脉冲对消除时钟歪斜具有至关重要的作用。同时,光本身也是良好的电压隔离器,对降低器件功耗也有重要意义。目前的光互连模块基本上都应用于中远距离互连及板-板通信,采用垂直腔面发射激光器(VCSEL)和光电探测器构成。然而,随着集成电路之间及集成电路内部对互连需求的增长,上述方案的缺点也十分明显,主要在于VCSEL在集成电路内部的高温环境下的热稳定性极差,同时所使用的材料也与硅集成电路的材料不兼容,不能采用微电子工艺批量生产,成本居高不下。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此,本发明的主要目的在于提出一种全硅基材料光收发模块,具有与微电子工艺兼容,可以批量生产,制造成本低,工作稳定等优点,尤其适合于集成电路间及集成电路内部的光互连。
(二)技术方案
为达到上述目的,本发明提供了一种全硅基材料光收发模块,该模块包括光发射部分1和光接收部分2,其中:
光发射部分1包括:
光调制器101;
通过第一光波导104连接于光调制器101的第一光耦合器102;
通过第二光波导105连接于光调制器101的第二光耦合器103;
以及
连接于光调制器101的光调制器匹配网络106;
光接收部分2包括:
第三光耦合器202;
光电探测器201;以及
光电探测器匹配网络204;
第三光耦合器202、光电探测器201和光电探测器匹配网络204依次连接,且第三光耦合器202通过第三光波导203连接于光电探测器201;
其中,在光发射部分1,第一光耦合器102将外界光信号耦合进入第一光波导104,第一光波导104与光调制器101输入端相连,电信息通过光调制器匹配网络106加载至光调制器101,光调制器101将电信息转化为光信息,并通过第二光波导105进行传输,第二光波导105中的光信息经过第二光耦合器103耦合入光纤进行传输;在光接收部分2,第三光耦合器202将光纤中的光信息耦合入第三光波导203,第三光波导203与光电探测器201相连,转换后的电信号通过光电探测器匹配网络204输出。
上述方案中,所述硅基材料是绝缘体上的硅SOI材料,或者是体硅材料,或者是硅衬底上的化合物半导体材料。
上述方案中,所述光调制器101是电光调制器,或者是热光调制器,或者是微机械调制器,用于完成电信息与光信息的转换,在电信息的作用下对经由光波导输入的光进行调制,从而将电信息转化为光信息,并在光调制器101的输出端通过光波导进行传输。
上述方案中,所述第一光耦合器102、第二光耦合器103或第三光耦合器202是光栅耦合器,或者是锥形耦合器,或者是微镜耦合器,用于将光纤中的光高效耦合进入光波导中进行传输。
上述方案中,所述第一光波导104、第二光波导105或第三光波导203是硅衬底上的半导体材料光波导,或者是硅光波导,或者是聚合物光波导。
上述方案中,所述光调制器匹配网络106用于作为光调制器101与电学驱动信号的接口,完成光调制器101与外界电传输网络的阻抗匹配及输入信号整形。
上述方案中,所述光电探测器201是硅探测器,或者是化合物半导体探测器,用于将光信息重新转换为电信息,通过光电探测器匹配网络204输出。
(三)有益效果
本发明全硅基材料光收发模块,在硅平台上充分发挥微电子工艺技术成熟、可以批量生产,制造成本低,工作稳定等优点,在硅基平台上,采用CMOS集成工艺,一次性制备光耦合器、光调制器、光波导、光调制器与光电探测器匹配网络、光探测器等元件,集成度高,适合于集成电路间及集成电路内部的光互连。
附图说明
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