[发明专利]判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法无效
申请号: | 200910091400.7 | 申请日: | 2009-08-19 |
公开(公告)号: | CN101915657A | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
发明(设计)人: | 孙晓明;郑厚植;章昊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G01M11/02 | 分类号: | G01M11/02;G01N21/55;H01L31/09 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 判定 无上 反射 谐振腔 增强 光电 探测器 有效 方法 | ||
1.一种判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法,包括如下步骤:
步骤1:设计无上反射镜谐振腔增强型光电探测器的结构,包括衬底、缓冲层、下反射镜、腔体以及顶部覆盖层,将设计好的探测器结构交由分子束外延设备生长,形成探测器样品;
步骤2:将设计的探测器样品生长好以后,利用光谱仪测量样品的反射谱,标出反射谱中高反带区域的各个漏模;
步骤3:依据光学传输矩阵的原理编辑模拟程序,模拟得到与设计的无上反射镜谐振腔增强型光电探测器结构以及层厚完全一致的理论模拟反射谱,在模拟过程中通过把有源区的光折射率设定为复数折射率来引入有源区的吸收因素,复数折射率的虚部就是有源区的吸收系数;
步骤4:调节模拟程序中反射镜各层和腔体各层的厚度,使模拟得到的反射谱与实验测得的反射谱保持一致,然后改变模拟程序中吸收层的吸收系数,并观察模拟反射谱中各个漏模的变化,随着吸收系数的增大,有源区吸收造成的漏模会变得更深更宽,而同时源自谐振腔模式的漏模即腔模不会发生任何变化,从而判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器反射谱中的漏模是来自有源区吸收还是来自腔模。
2.根据权利要求1所述的判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法,其中腔体包括:依序生长的下砷化镓层、铟镓砷量子点、砷化镓间隔层和上砷化镓层。
3.根据权利要求1所述的判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法,其中器件结构的衬底、缓冲层、腔体的主体和顶部覆盖层采用的材料是砷化镓。
4.根据权利要求1所述的判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法,其中腔体中的有源层采用的材料是铟镓砷量子点。
5.根据权利要求1所述的判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法,其中下反射镜由30对交替生长的砷化镓层和砷化铝层组成。
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