[发明专利]一种真空离子镀膜方法

权利要求书

1.一种真空离子镀膜方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

(1)在镀膜设备的沉积室的中心设置柱弧源，沉积室的圆周壁上设置点弧源，待加工工件悬挂在沉积室的柱弧源和点弧源之间的工件架上，柱弧源和点弧源的靶材为金属钛、锆或铬中的任何一种；

(2)使工件转动速度为1～3转/分钟，使沉积室内的温度达到150℃～260℃，使沉积室内的真空度达到4×10^-2Pa～1×10^-2Pa；

(3)向沉积室内通入氩气或氮气，气体流量为200～480cm³/分钟，调节真空度为4～1.5Pa，对工件施加负偏压300-500V，对工件进行辉光放电清洗4～8分钟；

(4)使沉积室内的真空度达到8×10^-3Pa～4×10^-3pa，向沉积室内通入氩气，进气量为100-150cm³/分钟，调节真空度为5.0-2.0×10^-2pa，调节柱弧源电流为200-250A，对工件施加负偏压300-400V，对工件进行放电清洗4～7分钟；

(5)调节氩气的进气量为100-300cm³/分钟，使真空度保持在5×10^-1Pa～3×10^-1Pa，对工件施加负偏压100-180V，调节柱弧源的工作电流为150A～235A，点弧源的工作电流为70A～100A，镀膜时间为4分钟～8分钟；

(6)向沉积室内通入反应气体，反应气体流量为50～450cm³/分钟，调节氩气的进气量，使真空度保持在5×10^-1Pa～3×10^-1Pa，对工件施加负偏压100-180V，调节柱弧源的工作电流为150A～235A，点弧源的工作电流为70A～100A，镀膜时间为3分钟～5分钟；

(7)使点弧源停止工作，调节反应气体和氩气的进气量，使真空度保持在5×10^-1Pa～3×10^-1Pa，对工件施加负偏压80-120V，调节柱弧源的工作电流为150A～235A，镀膜时间为5分钟～8分钟。

2.如权利要求1所述的真空离子镀膜方法，其特征在于还包括：

(8)使沉积室内的真空度达到5×10^-3Pa～3×10^-3Pa，向沉积室内通入氧气，氧气流量为150～300cm³/分钟，调节氩气的进气量，对工件施加负偏压100-180V，调节柱弧源的工作电流为150A～235A，点弧源的工作电流为70A～100A，镀膜时间为1分钟～2分钟。

3.如权利要求1或2所述的真空离子镀膜方法，其特征在于其中所述的反应气体为乙炔气体、氮气、氧气或甲烷中的任何一种或多种相混合。