[发明专利]一种提高GaN HEMT退火成功率的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种提高器件退火成功率的方法，尤其涉及一种提高GaNHEMT退火成功率的方法，属于半导体器件技术领域。

背景技术

GaN HEMT在制成初期其性能往往不稳定，主要表现为肖特基器件反向漏电大。如果要获得性能稳定的器件，就需要减小器件的反向漏电，可以通过栅后退火的工艺使器件的反向漏电减少。但是，在通过栅后退火工艺使器件的反向漏电减少的同时，却不可避免地会造成器件直流功率下降，不能满足其面向大功率器件的要求，这样器件的退火成功率就比较低，退火后退化器件的数量增加。

发明内容

本发明针对传统操作方法中无选择性地对GaN HEMT退火，使得器件的退火成功率比较低，退火后退化器件的数量增加的不足，提供了一种提高GaNHEMT退火成功率的方法。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种提高GaN HEMT退火成功率的方法，包括以下步骤：

步骤10：测量GaN HEMT的肖特基反向特性曲线；

步骤20：根据测得的肖特基反向特性曲线，绘制以ln|I|为纵坐标，V_r^1/4为横坐标的电流电压曲线；

步骤30：根据位于小于器件阈值电压区域内的电流电压曲线的形状，判 断是否对GaN HEMT进行退火。

进一步，所述步骤30具体为：如果位于小于器件阈值电压区域内的电流电压曲线为一段直线，则不对GaN HEMT进行退火。

进一步，所述步骤30具体为：如果位于小于器件阈值电压区域内的电流电压曲线为一段折线，则对GaN HEMT进行退火。

进一步，所述折线由至少两段斜率不同的直线组成。

进一步，所述步骤10中测量GaN HEMT的肖特基反向特性曲线时，采用的步进电压小于或者等于0.1伏特。

进一步，所述电流电压曲线满足如下关系式：

ln(|I|)={q3Nd8π2(ϵs′)2ϵs(Vr-kTq)}1/4kT-φB0kT+ln(A*AT2),]]>

其中，A^*为里查逊常数，A为栅截面面积，T为开尔文温度，k为波尔兹曼常数，q为电子电量，ε_s为半导体静态介电常数，ε′_s为半导体高频介电常数，N_d为掺杂浓度，φ_B0为热平衡势垒高度。