[发明专利]多晶硅薄膜的制造方法及装置无效
| 申请号： | 200910091870.3 | 申请日： | 2009-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101996869A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 徐威;宋定峰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/324;H01L21/00;C23C16/44;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制造 方法 装置 | ||
1.一种多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于，包括：
根据需要制造的多晶硅薄膜的预设厚度，确定沉积时间；
在放置有底材的容器中通入硅烷，并采用不高于575℃的温度，对所述硅烷进行加热生成非晶硅，其中，对所述硅烷进行加热的时间长度与所述确定的沉积时间一致；
将所述非晶硅加热到575℃以上，生成多晶硅。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，按照预设的升温速率，将所述非晶硅加热到575℃以上，生成多晶硅。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述非晶硅加热到575℃以上，生成多晶硅后，还包括：
将附着有所述生成的多晶硅的底材从所述容器中取出，并在室温中将附着有所述生成的多晶硅的底材进行冷却。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，将附着有所述生成的多晶硅的底材从所述容器中取出前，还包括：
按照预设的降温速率，将所述生成的多晶硅降温到560℃，并在预设的稳定时间段内，保持所述多晶硅的温度为560℃。
5.如1～4任一权利要求所述的方法，其特征在于，还包括：
在将所述非晶硅加热到575℃以上，生成多晶硅的同时，在所述容器中通入在575℃以上的温度条件下不会与硅产生化学反应的气体。
6.一种多晶硅薄膜的制造装置，其特征在于，包括：
确定单元，用于根据需要制造的多晶硅薄膜的预设厚度，确定沉积时间；
非晶硅生成单元，用于在放置有底材的容器中通入硅烷，并采用不高于575℃的温度，对所述硅烷进行加热生成非晶硅，其中，对所述硅烷进行加热的时间长度与确定单元确定的沉积时间一致；
多晶硅生成单元，用于将非晶硅生成单元生成的非晶硅加热到575℃以上，生成多晶硅。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述多晶硅生成单元按照预设的升温速率，将所述非晶硅加热到575℃以上，生成多晶硅。
8.如权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括：
空冷单元，将附着有多晶硅生成单元生成的多晶硅的底材从所述容器中取出，并在室温中将附着有所述生成的多晶硅的底材进行冷却。
9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，还包括：
温度保持单元，用于在空冷单元将附着有所述生成的多晶硅的底材从所述容器中取出前，按照预设的降温速率，将所述生成的多晶硅降温到560℃，并在预设的稳定时间段内，保持所述多晶硅的温度为560℃。
10.如6～9任一权利要求所述的装置，其特征在于，还包括：
气体通入单元，用于在多晶硅生成单元生成多晶硅的同时，在所述容器中通入在575℃以上的温度条件下不会与硅产生化学反应的气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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