[发明专利]一种无/低磁性立方织构Ni-W合金基带的制备方法有效
| 申请号： | 200910091891.5 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101635185A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 高忙忙;索红莉;高培阔;赵跃;马麟;王建宏;刘敏;邱火勤 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B12/06;C22C19/03;C22C1/04;C22F1/10 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沈 波 |
| 地址： | 100124*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 立方 ni 合金 基带 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种无/低磁性立方织构Ni-W合金基带的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)在保护性气氛中，将纯度为99.9％的Ni粉和纯度为99.9％的W粉按照W原子占Ni原子和W原子总数的9％～12％混合后，球磨2～4h，得到高W合金粉末；在保护性气氛中，将纯度为99.9的Ni粉和纯度为99.9的W粉按照W原子占Ni原子和W原子总数的5％～7％混合后，球磨2～4h，得到低W合金粉末；将高W合金粉末和低W合金粉末按照低W合金粉末-高W合金粉末-低W合金粉末的顺序装入模具中压制，低W合金粉末-高W合金粉末-低W合金粉末的体积比为1∶1～3∶1，而后经放电等离子烧结制备初始坯锭，烧结温度为800-1000℃，烧结时间3-8min；
2)将初始坯锭进行冷轧，道次变形量小于5％，总变形量大于99％，最终获得50μm～100μm厚的冷轧基带；
3)将冷轧基带在保护性气氛中进行分级热处理，首先在650℃～750℃保温30min，然后升温至1100℃～1200℃保温30min～60min后将温度升至1300℃～1450℃保温60min～240min，得到无/低磁性立方织构Ni-W合金基带。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的保护性气氛为Ar与H2的混合气体，混合气体中，H2的体积百分比为4％。
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