[发明专利]FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种FFS型TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线和数据线，所述像素区域内形成有像素电极、薄膜晶体管和与所述像素电极形成边缘电场的公共电极，其特征在于，还包括由金属薄膜材料制备的黑矩阵，所述黑矩阵与所述公共电极连接。

2.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，所述栅电极与栅线连接，并形成在基板上；栅绝缘层形成在栅线和栅电极上并覆盖整个基板；包括半导体层和掺杂半导体层的有源层形成在栅绝缘层上并位于栅电极的上方；像素电极形成在栅绝缘层上并位于像素区域内；源电极的一端位于有源层上，另一端与数据线连接，漏电极的一端位于有源层上，另一端与像素电极连接，源电极与漏电极之间形成TFT沟道区域；钝化层形成在上述构图上并覆盖整个基板。

3.根据权利要求2所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述公共电极为数个依次排列的电极条并形成在所述钝化层上，所述黑矩阵形成在上述构图上。

4.根据权利要求3所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述公共电极和黑矩阵由采用普通掩模板的二次构图工艺或采用半色调或灰色调掩模板的一次构图工艺形成。

5.根据权利要求2所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述黑矩阵形成在所述钝化层上，所述公共电极为数个依次排列的电极条并形成在上述构图上。

6.根据权利要求5所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述黑矩阵和公共电极由采用普通掩模板的二次构图工艺形成。

7.根据权利要求1～6中任一权利要求所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述黑矩阵位于所述栅线和/或数据线的上方。

8.根据权利要求7所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述黑矩阵位于所述薄膜晶体管的上方。

9.根据权利要求7所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述黑矩阵表面设置有防反射层。

10.一种FFS型TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管的图形；

在完成前述步骤的基板上形成包括公共电极和黑矩阵的图形，所述黑矩阵与所述公共电极连接。

11.根据权利要求10所述的FFS型TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述在基板上形成包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管的图形包括：

在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形；

在完成前述步骤的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，通过构图工艺形成包括有源层的图形，有源层包括半导体层和掺杂半导体层，形成在栅绝缘层上并位于栅电极的上方；

在完成前述步骤的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的图形；

在完成前述步骤的基板上沉积源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形，所述源电极的一端位于有源层上，另一端与数据线连接，所述漏电极的一端位于有源层上，另一端与像素电极直接连接，所述源电极与漏电极之间形成TFT沟道区域。

12.根据权利要求10或11所述的FFS型TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述形成包括公共电极和黑矩阵的图形包括：

在完成前述步骤的基板上沉积钝化层和透明导电薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括公共电极的图形，所述公共电极为数个依次排列的电极条；

在完成前述步骤的基板上沉积黑矩阵金属薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括黑矩阵的图形，所述黑矩阵与公共电极连接。