[发明专利]液晶显示基板及液晶面板有效

专利信息
申请号: 200910092557.1 申请日: 2009-09-11
公开(公告)号: CN102023405A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 郭建;周伟峰;明星;肖光辉 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示 液晶面板
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种液晶显示基板及液晶面板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点,在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

TFT-LCD器件的液晶显示面板是由阵列基板和彩膜基板对盒而形成的;在TFT-LCD的制造过程中,通过对盒工艺将彩膜基板和阵列基板相互贴合到一起,然后注入液晶从而形成完整的液晶显示面板。

对盒工序除了对贴合工艺的精度有严格的要求之外,同时也要求阵列基板和彩膜基板之间的图形尺寸要保持严格的一致性。如果两个基板的图形尺寸之间存在偏差,比如其中一块基板上的图形尺寸偏大,那么贴合到一起之后,阵列基板上的像素结构和彩膜基板上的光阻、黑矩阵等结构就会产生对位偏差,从而产生漏光的不良现象。

在TFT-LCD的实际制作过程当中,发明人发现现有技术中至少存在如下问题:

以阵列基板的制作为例,在玻璃基板上需要沉积各种类型的薄膜,例如SiNx(氮化硅),a-Si(非晶硅),N+a-Si(掺杂非晶硅),AlNd(铝钕合金),ITO(纳米铟锡金属氧化物)层等金属或非金属薄膜;然而,上述不同的薄膜在进行沉积前后的温度差异会导致薄膜晶格之间的间距产生变化,进而带动薄膜所覆盖的玻璃基板产生相应的形变,因此在沉积不同类型的薄膜时,玻璃基板就会产生不同的形变。例如沉积a-Si层时,玻璃基板会产生向外扩张的形变;而沉积ITO层时,玻璃基板则会产生向内收缩的形变。

只要阵列基板和彩膜基板中有一个的玻璃基板产生了形变,那么阵列基板和彩膜基板上的图形就很难保持严格的一致性,也就很容易产生对位偏差而导致漏光不良。

发明内容

本发明的实施例提供一种液晶显示基板及液晶面板,能够纠正玻璃基板的形变,避免阵列基板和彩膜基板之间的图形对位偏差。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

一种液晶显示基板,该液晶显示基板上包含有至少一个图形区域、以及所述图形区域周边的切割区域;其中,在所述切割区域形成有压电薄膜,且所述压电薄膜的两端连接有引线。

一种液晶面板,包括第一液晶显示基板和第二液晶显示基板,且所述第一液晶显示基板和第二液晶显示基板上均包含有至少一个图形区域、以及所述图形区域周边的切割区域;其中,在所述第一液晶显示基板和/或第二液晶显示基板的切割区域形成有压电薄膜,且所述压电薄膜的两端连接有引线。

本发明实施例提供的液晶显示基板及液晶面板,通过在图形区域以外的切割区域设置压电薄膜,利用压电薄膜在外电场作用下会产生形变的逆压电效应来控制所述压电薄膜的变形,进而带动压电薄膜所依附的基板产生形变;这样,在所述压电薄膜所依附的基板出现形变而影响到阵列基板和彩膜基板之间的正常图形对位时,就可以通过对所述压电薄膜施加不同的电压值来控制其形变程度,进而纠正该压电薄膜依附的基板的形变。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例一提供的液晶显示基板的结构示意图;

图2为图1中压电薄膜沿A-A线的剖视图;

图3为本发明实施例二提供的液晶显示基板的结构示意图;

图中标记:1-图形区域;2-切割区域;3-压电薄膜;31-横向压电薄膜;32-纵向压电薄膜;4-加电电极;5-引线;6-玻璃基板;7-绝缘层。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

结合图1所示,本发明实施例提供一种液晶显示基板,在该液晶显示基板上包含有至少一个图形区域1、以及所述图形区域1周边的切割区域2;其中,在所述切割区域2上形成有压电薄膜3,且所述压电薄膜3的两端连接有引线,压电薄膜3可通过所述引线连接到供电端。

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