[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有电路图案，其特征在于，还包括：

覆盖层，覆盖所述电路图案的上表面和侧面。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：

所述电路图案至少包括基础导电层，还包括下阻挡层和/或上阻挡层；所述下阻挡层与所述基础导电层为同时形成的叠层结构，且邻接所述基础导电层的下表面；所述上阻挡层与所述基础导电层为同时形成的叠层结构，且邻接所述基础导电层的上表面，覆盖在所述覆盖层之下。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：

所述基础导电层的材料为铜、铝、铜合金或铝合金，所述覆盖层的材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、钼、钼铌合金、钼钛合金、钛或氮化钛，所述下阻挡层和/或上阻挡层的材料为钼、钼铌合金、钼钛合金、钛或氮化钛。

4.根据权利要求1或2或3所述的阵列基板，其特征在于：

所述衬底基板上包括围设形成像素单元的栅扫描线和数据线，还包括形成在各像素单元中的TFT开关和像素电极；所述TFT开关包括栅电极、有源层、源电极和漏电极；

所述覆盖层包括覆盖所述栅扫描线和栅电极的第一覆盖层，还包括覆盖所述数据线、源电极和漏电极的第二覆盖层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于：

所述有源层形成在所述栅电极之上；

所述源电极和所述漏电极的端部相对设置，形成在所述有源层之上；

所述第二覆盖层覆盖在所述源电极和漏电极的上表面和侧面。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于：

所述衬底基板上还形成有公共电极线，被覆盖在所述第一覆盖层之下。

7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于：

所述衬底基板上还形成有公共电极，所述公共电极为覆盖像素单元的块状图案；所述像素电极为具有缝隙的梳状图案；

所述第一覆盖层与所述公共电极以相同材料同时形成；

所述第二覆盖层与所述像素电极以相同材料同时形成。

8.一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上沉积电路图案薄膜，并对所述电路图案薄膜进行构图工艺形成电路图案的步骤，其特征在于，还包括：

在形成所述电路图案的衬底基板上沉积覆盖层薄膜，并对所述覆盖层薄膜进行构图工艺形成包括覆盖层的图案，所述覆盖层覆盖所述电路图案的上表面和侧面。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在衬底基板上沉积电路图案薄膜包括：

在衬底基板上连续沉积下阻挡层薄膜、基础导电层薄膜和上阻挡层薄膜作为所述电路图案薄膜；或

在衬底基板上连续沉积基础导电层薄膜和上阻挡层薄膜作为所述电路图案薄膜；或

在衬底基板上连续沉积下阻挡层薄膜和基础导电层薄膜作为所述电路图案薄膜；或

在衬底基板上沉积基础导电层薄膜作为所述电路图案薄膜。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：

所述基础导电层的材料为铜、铝、铜合金或铝合金，所述覆盖层的材料为铟锌氧化物、铟锡氧化物、钼、钼铌合金、钼钛合金、钛或氮化钛，所述下阻挡层和/或上阻挡层的材料为钼、钼铌合金、钼钛合金、钛或氮化钛。

11.根据权利要求8或9或10所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在衬底基板上沉积电路图案薄膜，并对所述电路图案薄膜进行构图工艺形成电路图案，在形成所述电路图案的衬底基板上沉积覆盖层薄膜，并对所述覆盖层薄膜进行构图工艺形成包括覆盖层的图案，所述覆盖层覆盖所述电路图案的上表面和侧面包括：

在衬底基板上沉积栅金属薄膜；

对所述栅金属薄膜进行构图工艺形成包括栅扫描线和栅电极的图案作为所述电路图案；

在形成上述图案的衬底基板上沉积公共电极薄膜；

对所述公共电极薄膜进行构图工艺，形成包括所述覆盖层和公共电极的图案，所述覆盖层覆盖所述栅扫描线和栅电极的上表面和侧面。