[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910093250.3 | 申请日： | 2009-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102023428A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 代伍坤;朴云峰;彭志龙;王威 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/84;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种TFT-LCD阵列基板，包括玻璃基板以及形成在该玻璃基板上的像素电极、存储电容底电极，在所述像素电极和存储电容底电极之间形成有存储电容，其特征在于，在所述存储电容底电极的表面以及与该存储电容底电极正对的像素电极区域形成有对应的凹凸结构。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述存储电容底电极为公共电极线或栅线、或者公共电极线与栅线的组合。
3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述公共电极线与栅线同层设置，或者所述公共电极线与数据线同层设置。
4.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述凹凸结构的斜面坡度角小于90°。
5.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述凹凸结构的截面呈梯形、三角形或者波浪形。
6.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成存储电容底电极和像素电极，使所述存储电容底电极和所述像素电极相对的区域呈对应的凹凸结构。
7.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述在基板上形成存储电容底电极和像素电极，包括：
在基板上沉积金属薄膜，并通过构图工艺形成表面具有凹凸结构的存储电容底电极；
形成绝缘层及像素电极层。
8.根据权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述凹凸结构是通过半曝光-干法刻蚀、压印法或者印刷法实现的。
9.根据权利要求8所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述通过半曝光-干法刻蚀来形成凹凸结构的过程具体为：
步骤11、在基板上沉积制作存储电容底电极的金属薄膜层；
步骤12、在完成步骤11的基板上涂覆光刻胶并进行掩模曝光，其中对无需构建图形的区域进行全曝光，对需要构建凹凸结构的区域进行半曝光，对于其余部分区域不曝光；
步骤13、在完成步骤12的基板上，通过干法刻蚀对所述金属薄膜层进行刻蚀，得到表面具有凹凸结构的存储电容底电极。
10.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述凹凸结构的斜面坡度角小于90°。
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