[发明专利]阵列全环光子筛匀光器及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列全环光子筛匀光器，其特征在于，该阵列全环光子筛匀光器是在透明介质上制造的全环光子筛阵列，采用全环光子筛作为基本单元，该全环光子筛是一个在透明基片上制造的基于菲涅尔波带片的多个圆孔，先在透明介质上制造衍射孔径为相应菲涅耳圆环的一倍光子筛，然后在其余的菲涅耳环带处仍然刻蚀圆孔，圆孔的数量和位置的决定规律与光子筛圆环相同，只是从原来的偶数环增加到奇数环，或者从原来的奇数环增加到偶数环，这样在波带片的奇数和偶数环带都有透光的刻蚀圆孔，分别是奇数环的透光孔和偶数环的刻蚀位相透光孔，其中刻蚀位相透光孔的位相是π，每个刻蚀圆孔的大小与相应的环带宽度相同，该刻蚀圆孔与原来的衍射孔构成全环光子筛。

2.根据权利要求1所述的阵列全环光子筛匀光器，其特征在于，全环光子筛在奇数环的透光孔和偶数环的刻蚀位相透光孔透光，其余部分不透光，不透光的地方镀上铬膜。

3.一种制作阵列全环光子筛匀光器的方法，其特征在于，该方法利用大规模集成电路工艺技术和平面光刻工艺技术实现，包括：

利用电子束直写法制作出母版；

通过接触式光刻法将母版图案转移到涂有光刻胶的光学玻璃上；

利用感应耦合等离子刻蚀技术，将移到光学玻璃光刻胶上的图案刻蚀到光学玻璃中。

4.根据权利要求3所述的制作阵列全环光子筛匀光器的方法，其特征在于，所述通过接触式光刻法将母版图案转移到涂有光刻胶的光学玻璃上的步骤中，所述接触曝光的复制误差小于0.5μm，所采用的光刻胶为Shipley s1818，厚度为1.8μm。

5.根据权利要求4所述的制作全环光子筛的方法，其特征在于，所述将移到光学玻璃光刻胶上的图案刻蚀到光学玻璃中的步骤中，所采用的刻蚀气体为三氟甲烷CHF₃，流量为30SCCM，RF功率为500W，偏置功率为200W，对石英基底的刻蚀速率为0.077μm/min。