[发明专利]阵列3环多值位相环匀光器及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列3环多值位相环匀光器，其特征在于，该3环多值位相环匀光器是一种在透明介质上制造的3环多值位相环的阵列，阵列的大小由实际需要给出，阵列的大小选择要能够使得入射的光束完全被阵列所容纳，3环多值位相环是阵列的基本单元。

2.根据权利要求1所述的阵列3环多值位相环匀光器，其特征在于，该3环多值位相环是在透明的基片上制造的一个同心3环结构的位相片，外环的实际半径由实际需要给出，内1环半径为外环半径的0.36倍，内2环半径为外环的0.09倍。

3.根据权利要求1所述的阵列3环多值位相环匀光器，其特征在于，在该3环多值位相环中，内圆环位相为0，外圆环的位相为0.86π，中间环位相为0.06π，其余的部分不透光。

4.一种制作阵列3环多值位相环匀光器的方法，其特征在于，该方法利用大规模集成电路工艺技术和平面光刻工艺技术实现，包括：

利用电子束直写法制作出母版；

通过接触式光刻法将母版图案转移到涂有光刻胶的光学玻璃上；

利用感应耦合等离子刻蚀技术，将移到光学玻璃光刻胶上的图案刻蚀到光学玻璃中。

5.根据权利要求4所述的制作阵列3环位相环匀光器的方法，其特征在于，所述通过接触式光刻法将母版图案转移到涂有光刻胶的光学玻璃上的步骤中，所述接触曝光的复制误差小于0.5μm，所采用的光刻胶为Shipley s1818，厚度为1.8μm。

6.根据权利要求4所述的制作阵列3环多值位相环匀光器的方法，其特征在于，所述将移到光学玻璃光刻胶上的图案刻蚀到光学玻璃中的步骤中，所采用的刻蚀气体为三氟甲烷CHF₃，流量为30SCCM，RF功率为500W，偏置功率为200W，对石英基底的刻蚀速率为0.077μm/min。