[发明专利]一种纳米金属硫化物复合半导体光催化材料的制备方法无效
| 申请号： | 200910093517.9 | 申请日： | 2009-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101664686A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 张法智;鲁瑞娟;徐新;徐赛龙;段雪 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | B01J27/04 | 分类号： | B01J27/04;B01J37/20;B01J35/02;A62D3/10;A62D101/28 |
| 代理公司： | 北京华谊知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100029北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 金属 硫化物 复合 半导体 光催化 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米金属硫化物复合半导体光催化材料的制备方法，其特征在于：制备步骤为：
a配置可溶性二价金属硝酸盐、三价金属硝酸盐、以及磺酸盐的混合溶液，其中二价、三价金属阳离子摩尔比为M2+/M3+＝2～4，配制浓度为0.5～4.0mol/L的NaOH或KOH碱溶液；所述的二价金属阳离子为Zn2+或Cd2+，三价金属阳离子Al3+；
b将步骤a配制的碱溶液滴加到步骤a配制的混合盐溶液中，至pH为6～10，在室温条件下晶化2～24h，产物用去CO2水充分洗涤、离心，真空室温干燥，得到磺酸盐插层的LDHs；
c将步骤b制得的磺酸盐插层的LDHs置于反应装置中，在60℃～150℃下，通入H2S气体10～200min，产物在N2气氛中保留1～12h，得到纳米金属硫化物复合半导体材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的磺酸盐为烷基磺酸盐、芳基磺酸盐、烷基芳基磺酸盐、环烷基磺酸盐或烷基环烷基磺酸盐。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：H2S气体的流速为10～100ml/min。
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