[发明专利]一种混成式非制冷焦平面探测器的纵向热隔离结构与制造工艺有效
| 申请号： | 200910094389.X | 申请日： | 2009-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101872792A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞宇;刘黎明;莫镜辉;杨培志;苏雷;韩毅 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人： | 赛晓刚 |
| 地址： | 650223 *** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 混成 制冷 平面 探测器 纵向 隔离 结构 制造 工艺 | ||
1.一种混成式非制冷红外焦平面探测器的纵向热隔离结构，其特征在于：在探测器芯片的金电极(3)和读出电路芯片的金电极(3)上分别采用具有热隔离和电极连接作用的有机凸台(4)，在有机凸台上设计有爬坡金电极(6)，爬坡金电极上有铬金电极(7)，铬金电极上有倒装互联探测器芯片与读出电路芯片的铟柱(8)。
2.一种制造权利要求1所述的纵向热隔离结构的工艺，其特征在于：按以下步骤进行：
A.探测器芯片的金电极的制备，清洗；
B.探测器芯片有机凸台图形化的光刻，清洗；
C.探测器芯片上有机凸台的生长；
D.探测器芯片上光刻胶的剥离，清洗；
E.探测器芯片上的金电极在有机凸台上的蒸镀和爬坡；
F.探测器芯片上的第二次铬金电极的图形化光刻；
G.探测器芯片上铬金电极的蒸镀；
H.探测器芯片上的铟膜在有机凸台上的蒸镀；
I.探测器芯片的高温处理，铟柱生长和收缩；
J.读出电路(ROIC)芯片的清洗；
K.读出电路(ROIC)芯片上的金电极图形化的第一次光刻，清洗；
L.读出电路(ROIC)芯片上的上电级(铝电极)蒸镀金电极，清洗；
M.读出电路(ROIC)芯片上的芯片有机凸台图形化的的光刻，清洗；
N.读出电路(ROIC)芯片上的有机凸台的生长；
O.读出电路(ROIC)光刻胶的剥离，清洗；
P.读出电路(ROIC)芯片上的金电极在有机凸台上的蒸镀和爬坡；
Q.读出电路(ROIC)芯片上的第二次铬金电极的图形化光刻；
R.读出电路(ROIC)芯片上的铬金电极的蒸镀；
S.读出电路(ROIC)芯片上的铟膜在有机凸台上的蒸镀；
T.读出电路(ROIC)芯片的高温处理，铟柱生长和收缩；
U.探测器芯片与读出电路(ROIC)芯片通过铟柱倒装互联集成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
