[发明专利]一种叠层太阳电池的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种叠层太阳电池的制作方法，是一种半导体太阳电池，尤其是涉及一 种电流匹配与晶格匹配的多结高效太阳电池。

背景技术

随着化石能源的枯竭和全球气候变暖的日益加剧，太阳能的利用正受到人们越来 越多的重视。太阳电池是将太阳能转化为电能的核心器件。高效太阳电池在航空航天、 空间探索等方面有着重要的用途。低成本的高效太阳电池的大规模应用可以缓解能源 危机，减少温室气体排放，造福子孙后代。因此，高效太阳电池技术一直是各国特别 是发达国家重点支持的研究领域。

目前制约III-V族太阳能发电产业发展最大的障碍就是电池组件成本高，最终导致 太阳能发电的成本较高。降低太阳电池发电成本的最关键在于进一步提高太阳电池的 光电转换效率。理论计算表明，叠层电池的各子电池短路电流越接近(匹配程度越高)， 对光谱的利用程度也就越高。遗憾的是迄今为止未找到同时满足晶格匹配和电流匹配 的三结或三结以上的太阳电池组合。

公知的空间用高效太阳电池有GaSb/GaAs机械叠层电池、GaInP/GaAs/Ge电池等。 波音全资子公司SPECTROLAB生产的GaInP/GaAs/Ge三节太阳电池的效率达到 28.3％，截止2006年，已经售出了200万片。GaSb/GaAs机械迭层电池光电转换效率 已达37％(AM1.5)，是效率较高的化合物半导体太阳电池。专利(申请号： 200510084937.2)采用高质量的GaSb和GaAs单晶片为原材料制作GaSb/GaAs机械迭 层电池，但由于其需要高质量的GaSb、GaAs体材料，故成本高，单位重量功率比大。 GaInP/GaAs电池只能吸收能量大于1.4eV的光子，不能覆盖红外波段，所以无法进一 步提高光电转换效率。

发明内容

针对背景技术提出的问题，本发明的目的在于提供一种叠层太阳电池的制作方法， 尤其是一种电流匹配与晶格匹配的多结高效半导体太阳电池的制作方法。以掺杂锑化 镓单晶片为衬底，采用分子束外延(MBE)生长技术，在锑化镓衬底上生长子电池吸 收层，具体过程包括：首先在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层，然后在生长的GaSb缓 冲层上依次生长GaInAsSb层、AlGaAsSb层、CdZnSeTe层、ZnTe层及各层之间的隧 穿结，在ZnTe层上制作顶电极，在GaSb衬底层上制作背电极，然后进行封装，得到 成品。用来制作高效太阳电池组件。

本发明的具体实施步骤为：

采用分子束外延(MBE)生长技术，先在GaSb衬底上外延生长GaSb层，然后在 生长的GaSb层上依次生长GaInAsSb层、AlGaAsSb层、CdZnSeTe层、ZnTe层及各 层之间的隧穿结，在ZnTe层上制作顶电极，在GaSb衬底上制作背电极，然后进行封 装，得到成品。

本发明与公知技术相比具有的优点及积极效果

1、利用本发明，将太阳电池的光谱吸收范围拓展到0.5-2.3eV波段，特别是增加 了对红外部分的吸收，对于提高太阳电池的转换效率非常有益。

2、各电池子层均为直接带隙材料，吸收系数大，抗辐射能力强，寿命长。

附图说明

图1为本发明提供的太阳电池结构示意图。图中1为顶电极，2为ZnTe层，3为 n⁺CdSeTe/p⁺ZnSeTe隧穿结，4为CdZnSeTe层，5为n⁺AlAsSb/p⁺CdSeTe隧穿结，6 为AlGaAsSb层，7为n⁺InAsSb/p⁺GaAsSb隧穿结，8为GaInAsSb层，9为n⁺GaSb/p⁺InAsSb隧穿结，10为GaSb衬底层及缓冲层，11为背电极。

具体实施方式

实施例