[发明专利]一种氧化钇薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910095416.5 | 申请日： | 2009-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101462893A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 金达莱;俞晓晶;贾红;缪洒丽;张亚萍;王龙成;王耐艳 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310018浙江省杭州市江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钇 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化钇薄膜的制备方法，在单晶硅衬底的一个侧面沉积有一层氧化钇薄膜，该薄膜的化学式为Y2O3；其特征在于该方法的步骤如下：
1)将可溶性钇盐，溶于去离子水中，搅拌，配成摩尔浓度0.01～0.5mol·L-1的钇盐溶液；
2)取上述钇盐溶液，通过恒温水浴，控制溶液温度在40℃～80℃；
3)利用由工作电极、对电极和参比电极组成的三电极电化学池进行单晶硅衬底上的薄膜沉积，将三电极插入钇盐溶液，恒温30分钟，调节工作电极与参比电极间的电压在-0.85V～-1.4V之间，沉积时间控制在20分钟～60分钟；
4)将沉积好的薄膜，用去离子水清洗，并干燥，随后，将薄膜在600℃～1000℃下退火烧结30分钟～240分钟，薄膜厚度为0.5微米～5微米。
2.根据权利要求1所述的一种氧化钇薄膜的制备方法，其特征在于：所述的三电极电化学池中，工作电极为单晶硅片；对电极为铂金电极、金电极或石墨电极；参比电极为内置Ag/AgCl/饱和KCl溶液的电极。
3.根据权利要求1所述的一种氧化钇薄膜的制备方法，其特征在于：所述的可溶性钇盐为硝酸钇或氯化钇。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江理工大学，未经浙江理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910095416.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
