[发明专利]一种太阳能级单晶硅棒的抛光处理方法无效

专利信息
申请号: 200910095528.0 申请日: 2009-01-19
公开(公告)号: CN101498055A 公开(公告)日: 2009-08-05
发明(设计)人: 郜勇军;方建和 申请(专利权)人: 郜勇军
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10;B28D5/00;B24B7/22;B24B9/06
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 代理人: 舒 良
地址: 324300浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 太阳 能级 单晶硅 抛光 处理 方法
【说明书】:

所属技术领域

发明涉及一种太阳能级单晶硅棒的抛光处理方法。

背景技术

目前,我们在对太阳能级单晶硅棒进行抛光时,通常采用酸液腐蚀方法,即将太阳能级单晶硅棒置于浓度在99%以上的酸液中浸泡,这种方法不仅对酸的浓度要求高,使用几次后就作为废酸处理,废酸处理难度大,环保性差,且成本高,而且在浸泡过程中需要经常翻动,并需精确掌握腐蚀时间,否则腐蚀过度,易出现蚀坑现象,产品质量的一致性差。

发明内容

本发明的目的是提供提高酸液利用率,且产品质量一致性及成品率高的一种太阳能级单晶硅棒的抛光处理方法。

本发明采取的技术方案是:一种太阳能级单晶硅棒的抛光处理方法,其特征在于将太阳能级单晶硅棒置于氢氟酸配比浓度较低的酸液中浸泡,除去损伤层,消除棒的应力后,再用抛光设备对太阳能级单晶硅棒表面进行机械打磨抛光。

所述的氢氟酸配比浓度较低的酸液为氢氟酸和硝酸比为1:5~8的酸液。

采用本发明,由于对酸的腐蚀性要求不高,因此可以使用一些废酸液生产,提高了利用率,降低了成本;同时,腐蚀时间不需要精确把握,不会出现蚀坑现象,提高了成品率。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。

1、将太阳能级单晶硅棒置于氢氟酸和硝酸比为1:8的酸液,即氢氟酸配比浓度较低的酸液中浸泡5~20分钟后,除去损伤层,消除棒的应力。

2、用轴向抛光机对太阳能级单晶硅棒表面进行机械打磨抛光,直致抛光成镜面为止。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郜勇军,未经郜勇军许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910095528.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top