[发明专利]一种制备二氧化钛纳米线阵列薄膜的方法无效
申请号: | 200910096796.4 | 申请日: | 2009-03-19 |
公开(公告)号: | CN101508463A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 吴进明;薛红星 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C01G23/047 | 分类号: | C01G23/047 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 韩介梅 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 氧化 纳米 阵列 薄膜 方法 | ||
1.一种制备二氧化钛纳米线阵列薄膜的方法,其特征是包括以下步骤:
1)将质量百分比浓度为50~55%的氢氟酸、质量百分比浓度为65~68%的硝酸与去离子水按体积比1∶3∶6混合,得酸洗液;
2)在质量百分比浓度为20~30%的双氧水溶液中添加0.174~0.580摩尔/升的硝酸和0.0016~0.024摩尔/升的三聚氰胺,得反应液;
3)将金属钛板表面用步骤1)的酸洗液酸洗后,再用去离子水在超声波中清洗干净,然后浸没于步骤2)的反应液中,在60~90℃下反应60~72小时;
4)反应后的钛板用去离子水清洗,干燥后,在350~550℃热处理1~2小时。
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