[发明专利]一种ZnO纳米棒阵列的制备方法无效
| 申请号： | 200910097262.3 | 申请日： | 2009-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101550028A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 王平;宗小林;吴晓玲 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所 | 代理人： | 张慧英 |
| 地址： | 310058浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zno 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种ZnO纳米棒阵列的制备方法，首先将硅片清洗后放入高温炉中进行氧化，待生成二氧化硅介质层后再在其表面沉积形成纳米ZnO薄膜即ZnO种子层，再浸入相同浓度的硝酸锌和六亚甲基四胺的等体积混合溶液中，在密闭的反应皿中反应后取出用去离子水充分清洗，其特征在于：所述ZnO种子层经过紫外光照射后再浸入硝酸锌和六亚甲基四胺的混合溶液中。
2、根据权利要求1所述ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于：所述紫外光照射过程由紫外LED或者激光器发出的8W紫外光在距离ZnO种子层至多5cm的范围内照射后完成。
3、根据权利要求1或2所述ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于：所述紫外光照射时间至少为一个小时。
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