[发明专利]一种钨酸镉晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200910097707.8 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101538739A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 夏海平;王金浩;虞灿;罗彩香;陈红兵 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B11/00 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 程晓明 |
| 地址： | 315211浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钨酸镉 晶体 及其 制备 方法 | ||
1、一种钨酸镉晶体，其特征在于为CdWO4单晶中掺有0.1～2.0mol％的Bi离子的Bi:CdWO4晶体。
2、如权利要求1所述的钨酸镉晶体的制备方法，其特征在于包括以下具体步骤：
(1)将CdO和WO3原料分别单独放置于铂金或Al2O3刚玉坩锅中，经马弗炉焙烧，焙烧温度250～500℃，时间2～4h；
(2)将焙烧后的CdO和WO3按摩尔比1∶1置于碾磨器中，碾磨混合2～6h，然后在压强为9.8×107～9.8×108帕的条件下，把混合粉体压制成致密块体；
(3)将上述致密块体放于铂金坩锅中，在1000～1200℃温度下，烧结2～8小时，得到CdWO4多晶粉料；
(4)将CdWO4多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，按Bi离子掺入量为0.1～2.0mol.％加入Bi2O3，碾磨混合10～12h，得到掺有Bi离子的CdWO4多晶粉末；
(5)把掺有Bi离子的多晶粉末压实后置于铂金坩埚中，密封铂金坩埚；
(6)将密封的铂金坩埚置于硅钼棒炉中，用坩埚下降法生长晶体，生长晶体的炉体温度为1330～1380℃，接种温度为1280～1300℃，生长区域温度梯度为20～40℃，下降速度为0.5～2mm/h，待晶体生长结束后，以20～80℃/h下降炉温至室温，得到Bi:CdWO4晶体。
3、根据权利要求1所述的钨酸镉晶体，其特征在于所述的WO3，CdO，Bi2O3均为99.99wt％以上。
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