[发明专利]硼化物增强型碳化硅陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种硼化物增强型碳化硅陶瓷的制备方法，其特征是以重量百分比为75％～85％的 碳化硅粉体、10％～15％的钇铝石榴石和5％～10％的硼化物微粉组成主原料；所述碳化硅 粉体的颗粒大小为0.5μm～2.5μm，硼化物微粉的颗粒大小为0.1μm～0.5μm，包括以下步骤：

1)、将主原料、粘结剂和分散剂加入到去离子水中，球磨混合后，配制成固相重量含量 为30％～60％水基碳化硅料浆；所述粘结剂、分散剂的重量分别是主原料的0.5％～3％、0.5 ％～1.5％；

2)、采用喷雾造粒工艺对水基碳化硅料浆进行喷雾干燥，得碳化硅造粒粉；

3)、对上述碳化硅造粒粉采用140～180MPa干压预压和160～200MPa冷等静压终压的 两步方式成型，获得高密度的碳化硅素坯；

4)、将上述高密度的碳化硅素坯放在真空无压烧结炉中，升温至1900℃～2000℃保温1～ 1.5小时；得硼化物增强型碳化硅陶瓷。

2.根据权利要求1所述的硼化物增强型碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：所述硼化 物为硼化锆、硼化铪或硼化钛。

3.根据权利要求2所述的硼化物增强型碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：所述粘结 剂为酚醛树脂、糊精或聚乙烯醇，所述分散剂为聚乙二醇。

4.根据权利要求3所述的硼化物增强型碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：所述步骤 2)中的喷雾干燥的工艺条件为：水基碳化硅料浆流量为3～7Kg/h，热风进口温度为220℃～ 270℃，出口温度为70℃～80℃。

5.根据权利要求4所述的硼化物增强型碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：所述步骤 1)中球磨混合5～20小时。

6.根据权利要求5所述的硼化物增强型碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：所述步骤 3)中采用160MPa干压预压和180MPa冷等静压终压。

7.根据权利要求1～6中任意一种方法所制备的硼化物增强型碳化硅陶瓷。