[发明专利]在硅太阳电池表面附着硅纳米颗粒薄膜的方法及装置

权利要求书

1.一种在硅太阳电池表面附着硅纳米颗粒薄膜的方法，其特征在于：利用真空产生的气压差使硅纳米颗粒通过一喷射孔喷射形成硅纳米颗粒束，硅纳米颗粒束扫描并附着在硅太阳电池表面形成均匀的硅纳米颗粒薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的喷射孔孔径为0.5～6mm。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的硅太阳电池表面为栅状金属电极和减反射膜，硅纳米颗粒束扫描硅太阳电池表面时，通过移动硅太阳电池使硅纳米颗粒束均匀扫描硅太阳电池表面。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的硅纳米颗粒薄膜的厚度为2-100纳米。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的硅纳米颗粒的平均尺寸为1-10纳米，硅纳米颗粒尺寸分布的标准偏差小于平均尺寸的20％。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述的硅太阳电池表面与喷射孔的距离为1～5cm。

7.一种在硅太阳电池表面附着硅纳米颗粒薄膜的装置，包括用于盛放或制备硅纳米颗粒的原料腔及用于放置硅太阳电池的成膜腔，其特征在于：所述的原料腔带有与成膜腔相通的喷射孔，成膜腔底部设有用于连接真空系统的真空管路，成膜腔内设有用于承载硅太阳电池的可三维移动的样品台，硅纳米颗粒从原料腔的喷射孔以硅纳米颗粒束形式进入成膜腔后，样品台带动硅太阳电池移动，使硅纳米颗粒束扫描并附着在硅太阳电池表面形成均匀的硅纳米颗粒薄膜。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于：所述的原料腔为带有进气管路的管状腔体，其外围设有高频电磁场发射装置，使进入原料腔内的原料气体受激发生成硅纳米颗粒。