[发明专利]利用硅纳米颗粒制备高纯多晶硅的方法及装置有效
| 申请号： | 200910098050.7 | 申请日： | 2009-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101559945A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 皮孝东;杨德仁;韩庆荣 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;韩庆荣 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 纳米 颗粒 制备 高纯 多晶 方法 装置 | ||
1.一种利用硅纳米颗粒制备高纯多晶硅的方法，其特征在于，通过抽真空而形成的气流携带硅纳米颗粒从原料腔进入熔化腔，加热熔化腔内的硅纳米颗粒使其熔融形成硅熔体，硅熔体从熔化腔流出后冷却凝固成块状多晶硅，其中，原料腔内的气压是熔化腔的出口端的气压的50～106倍。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的硅纳米颗粒的平均尺寸为1～100纳米。
3.一种用于如权利要求1或2所述的方法中的装置，包括带有真空管路接口(9)的壳体(7)，其特征在于，
所述的壳体(7)内设有：
带有进口和出口的熔化腔(5)，所述的进口与壳体(7)外部连通；
用于对熔化腔(5)内物料加热的加热装置；
和位于熔化腔(5)出口下方的收集装置(8)；
以及，还包括：用于制备硅纳米颗粒的原料腔，原料腔的出料口与熔化腔(5)进口连通，所述的原料腔为顶端带有进气管(1)的管状等离子体腔(2)，管状等离子体腔(2)外围设有高频电磁场发射装置，使进入等离子体腔体内的原料气体受激发生成硅纳米颗粒。
4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述的加热装置为设置在熔化腔(5)外围的加热套(6)。
5.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述的等离子体腔(2)的内壁、熔化腔(5)的内壁和收集装置(8)的内壁均带有氮化硅保护膜。
6.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述的等离子体腔(2)与熔化腔(5)沿同一轴线布置。
7.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述的收集装置(8)为石英材质的容器或多晶硅铸造炉。
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