[发明专利]一种晶体硅块切割方法无效
申请号: | 200910098541.1 | 申请日: | 2009-05-14 |
公开(公告)号: | CN101554757A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 吴云才;刘伟;刘文涛;聂帅 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04;B24B7/16;B24B7/22 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 | 代理人: | 徐关寿 |
地址: | 314117浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 切割 方法 | ||
1、一种晶体硅块切割方法,将被切割晶体硅块置于切片机平台, 若干条水平等距布设的线状锯,线状锯喷洒砂浆,对晶体硅块 实施切割,其特征在于晶体硅块切割前对晶体硅块的两端面打 磨平整,端面斜度小于所述等距平行布设的线状锯之间的距离
2、根据权利要求1或2所述的晶体硅块切割方法,其特征在于所 述的晶体硅块由粘胶于底座玻璃的若干短硅块组成。
3、根据权利要求5所述的晶体硅块切割方法,其特征在于所述的 端面斜度不大于200微米。
4、根据权利要求1-6中任一项所述的晶体硅块切割方法,其特征 在于所述的晶体硅块切割过程采用多晶端面磨面数控机床。
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