[发明专利]一种利用掺氮籽晶生长硅单晶的方法无效
| 申请号： | 200910098804.9 | 申请日： | 2009-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101555621A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 余学功;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 籽晶 生长 硅单晶 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种利用掺氮籽晶生长硅单晶的方法，包括以下步骤：
(1)将硅原料熔化，得到熔融硅；
(2)将掺氮籽晶以不大于1mm/min速度靠近熔融硅，与熔融硅液面接触后提升掺氮籽晶，生长硅单晶；
所述的掺氮籽晶的氮浓度为1×1014～5×1015cm-3。
2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的掺氮籽晶与熔融硅液面接触后，以不小于1mm/min的速度下降，回熔不大于10mm的掺氮籽晶后提升掺氮籽晶。
3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的硅原料熔化后加入掺杂剂与其混熔。
4、根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述的掺杂剂为硼、铝、镓、铟、磷、砷和锑中的一种。
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