[发明专利]一种硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器

权利要求书

1.一种硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器，其特征在于：在硅衬底(1)的正面自下而上依次生长有ZnO薄膜(2)、ZnO纳米棒阵列(3)、SiO₂薄膜(4)和半透明电极(5)，在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极(6)。

2.根据权利要求1所述的硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器，其特征在于：所述的ZnO纳米棒阵列(3)的生长方向大致垂直于硅衬底(1)的正面。

3.根据权利要求1所述的硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器，其特征在于：所述的半透明电极(5)为半透明Au电极。

4.一种硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器的制备方法，包括以下步骤：

1)利用磁控溅射法在清洗后的n型硅片上沉积ZnO薄膜；

2)利用化学水浴沉积法在ZnO薄膜上生长ZnO纳米棒阵列，然后在空气气氛下热处理；

3)用溶胶-凝胶法在ZnO纳米棒阵列上生长SiO₂薄膜；

4)在SiO₂薄膜上溅射半透明电极，在硅衬底背面溅射欧姆接触电极。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤1)中，磁控溅射的温度为100-600℃。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤2)中，将长有ZnO薄膜的硅片竖直放置在硝酸锌和六次甲基四胺的水溶液中生长ZnO纳米棒阵列，硝酸锌和六次甲基四胺的摩尔比为1∶1，硝酸锌的浓度为0.005mol/L-0.1mol/L。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤3)中，在已经制备好的ZnO纳米棒阵列上旋涂硅溶胶后烘干，再在空气气氛下500-700℃热处理，退火时升温速率控制在1-20℃/min。