[发明专利]一种将OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路的版图设计方法，尤其涉及利用栅氧化层击穿现象实现的一次性可编程存储器单元及由这些单元构成的阵列的版图设计方法。

背景技术

在可编程集成电路的设计生产过程中，一般采用OTP技术进行小批量的集成电路的试制，试制成功后，由于利用OTP技术制造、测试、烧录成本较高，往往采用ROM技术进行大批量的集成电路生产，将集成电路中内嵌的程序直接掩模在ROM电路中。

传统上将OTP电路改成ROM电路的做法是分别设计OTP存储器版图和ROM存储器版图，需要制造二套光刻版，既拖延了设计时间，也增加了设计风险和制版费用。

发明内容

本发明旨在解决现有技术的不足，提供了一种基于一套OTP存储器版图，只修改部分层次将OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法。

本发明还提供利用OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法获得的一种ROM存储器版图。

一种将OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法，特征在于在OTP存储器版图中将需要烧录击穿的存储电路结构的二端，在ROM存储器版图中通过短接实现；不需要烧录击穿的存储电路结构的二端，在ROM存储器版图中通过断开实现：

1)按照版图层次，OTP存储器版图包括：N型有源区、多晶、连接N型有源区/多晶同第一层铝(一铝)的引线孔、一铝、连接一铝同第二层铝(二铝)的通孔、二铝；

2)OTP存储器版图中存储电路上的多晶和一铝同属于存储单元的第一电压端P，同一行的各存储单元通过引线孔连接；

3)OTP存储器版图改为ROM存储器版图时，先将存储电路以及第一NMOS晶体管的多晶删除；

4)需要烧录的存储电路的栅极与源极，在ROM存储器版图中通过引线孔将存储电路源极的N型有源区与存储电路的一铝连接；

所述的OTP存储器由一次性可编程单元包组成，一次性可编程单元包括：存储元件、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，存储元件的栅极连接第一电压端P，所述存储元件的源及连接所述第一NMOS晶体管的漏极，第一NMOS晶体管的栅极连接第二电压端D，第一NMOS晶体管的源极连接所述第二NMOS晶体管漏极，第二NMOS晶体管的栅极连接行选择端R，第二NMOS晶体管的源极连接列选择端C。

将OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法，其特征还在于修改过程中保证不改变OTP存储器版图的结构，如形状、大小、布局。

利用上述OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法得到一种ROM存储器版图，其特征在于：

ROM存储器版图层次依次包括：N型有源区、多晶、连接N型有源区/多晶同第一层铝(一铝)的引线孔、一铝、连接一铝同第二层铝(二铝)的通孔、二铝；

所述的ROM存储器由存储单元阵列组成，存储单元有两种类型：即ROM_1、ROM_0；

其中ROM_1包括：

一连接线，作为第一电压端P；

NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的栅极引出作为行选择端R，NMOS晶体管源极引出作为列选择端C；

所述的ROM_1的版图的特征在于由引线孔连接NMOS晶体管漏极的N型有源区与第一电压端P的一铝；

其中ROM_0包括：

一连接线，作为第一电压端P；

NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的栅极引出作为行选择线R，NMOS晶体管的源极引出作为列选择线C；

所述的ROM_0的版图的特征在NMOS晶体管漏极的N型有源区与第一电压端P的一铝不连接；

ROM存储器的各个存储单元分别通过第一电压端P、行选择线R、列选择线C相互连接。

本发明的有益效果在于，基于一套OTP存储器版图，只修改部分层次将OTP存储器版图改为ROM存储器版图，节省设计时间，降低设计风险、制版费用以及制造成本，同时，因OTP存储器版图与ROM存储器版图在多晶前的版图是一致的，多晶前生产制造也一致，因此可以等到多晶后再根据销售等因素选择OTP存储器版图或ROM存储器版图，确定最终产出是OTP产品还是ROM产品，方便组织生产以及库存管理。

附图说明

附图1OTP存储器的存储单元电路图

附图2图1中击穿的OTP存储器存储单元的等效电路图

附图3ROM存储器的存储单元ROM_1电路图

附图4ROM存储器的存储单元ROM_0电路图

附图5OTP存储器示意图

附图6图1所示的OTP存储器单元的版图

附图6-1图3所示的ROM存储单元ROM_1的版图